MOS del canal N del silicio de los transistores 38.8A 600V 50W de la transferencia NPN PNP del poder de TK39A60W

Number modelo:TK39A60W, S4VX
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:10000pcs por boca
Plazo de expedición:días 2-3work
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Room L, 23rd Floor, Building B, Duhui 100, Zhonghang Rd, Futian District, Shenzhen City, Guangdong
Proveedor Último login veces: Dentro de 29 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOS del canal N del silicio del transistor de transferencia del poder de TOSHIBA TK39A60W 38.8A 600V 50W 4100pF

Usos

Reguladores de voltaje que cambian

Descripción

MOSFETs de Toshiba DTMOSIV utilizar el solo proceso epitaxial avanzado, que proporciona una reducción del 30% adentro

RDS (encendido), una figura del mérito (FOM) para los MOSFETs, comparado a su precursor, DTMOSIII. Esta reducción en

RDS (encendido)permite contener un R más bajoDS (encendido)microprocesadores en los mismos paquetes. Esto ayuda a mejorar eficacia

y reduzca el tamaño de las fuentes de alimentación. Los MOSFETs de Toshiba DTMOSIV son ideales para el uso con los recortes reguladores.

                                                         

 

Características

                                                                                                              
1) En-resistencia baja de la dren-fuente: RDS (ENCENDIDO) = 0,055 Ω (tipo.) cerca usados a la estructura estupenda del empalme: DTMOS
(2) fácil controlar la transferencia de la puerta
(3) modo del aumento: Vth = 2,7 a 3,7 V (VDS = 10 V, identificaciones = 1,9 mA)

Especificaciones

Cualidad de productoValor del atributo
Si
A través del agujero
TO-220FP-3
Canal N
1 canal
600 V
38,8 A
55 mOhms
- 30 V, + 30 V
3,7 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
50 W
Aumento
DTMOSIV
TK39A60W
Tubo
Marca:Toshiba
Configuración:Solo
Tiempo de caída:9 ns
Altura:15 milímetros
Longitud:10 milímetros
Tiempo de subida:50 ns

Guía comercial

EnvíoPeríodo de entregaPara las piezas en existencia, las órdenes se estiman para enviar hacia fuera en 3 días.
Una vez que está enviado, estimado plazo de expedición depende de los portadores abajo que usted eligió:
DHL expresa, 3-7 días laborales.
Comercio electrónico de DHL, 12-22 días laborales.
Prioridad internacional de Fedex, 3-7 días laborales
El ccsme, 10-15 días laborales.
Correo aéreo registrado, 15-30 días laborales.
Tarifas de envíoDespués de confirmar la orden, evaluaremos el coste de envío basado en el peso de las mercancías
Opciones de envíoProporcionamos DHL, Fedex, el ccsme, SF expreso, y el envío internacional registrado del correo aéreo.
Seguimiento del envíoLe notificaremos por el correo electrónico con número de seguimiento una vez que se envía la orden.

Vuelta

garantía

VueltaLas devoluciones se aceptan normalmente cuando están terminadas en el plazo de 30 días a partir de la fecha del envío. Las piezas deben ser inusitadas y en el empaquetado original. El cliente tiene que tomar la carga para el envío.
GarantíaTodas las compras de Retechip vienen con una política de devoluciones de devolución de 30 días, esta garantía no se aplicará a ningún artículo donde los defectos han sido causados por la operación incorrecta de la asamblea, del fracaso del cliente para seguir instrucciones, de producto de la modificación, negligente o incorrecta del cliente
El ordenar

 

Pago

 

T/T, Paypal, tarjeta de crédito incluye la visa, amo, American Express.

 

China MOS del canal N del silicio de los transistores 38.8A 600V 50W de la transferencia NPN PNP del poder de TK39A60W supplier

MOS del canal N del silicio de los transistores 38.8A 600V 50W de la transferencia NPN PNP del poder de TK39A60W

Carro de la investigación 0