Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

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N- Canalice el transistor de poder del Mosfet 55V 110A 200W a través del agujero TO-220AB IRF3205PBF

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Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrZhu
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N- Canalice el transistor de poder del Mosfet 55V 110A 200W a través del agujero TO-220AB IRF3205PBF

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Número de modelo :IRF3205PBF
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :10pcs
Condiciones de pago :Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente :consulta
Plazo de expedición :2-3 días laborables
Detalles de empaquetado :paquete 98PCS/Standard
Tipo del FET :Canal N
Drene al voltaje de la fuente :55V
Disipación de poder :200W
Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 175°C
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MOSFET 55V 110A 200W del canal N de IRF3205PBF a través del agujero TO-220AB

Descripción

MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® de internacional

El rectificador utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar

extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja,

combinado con la velocidad que cambia rápida y construido sólidamente

diseño del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET son bien sabido

para, provee del diseñador un extremadamente eficiente y

dispositivo confiable para el uso en una amplia variedad de usos.

El paquete TO-220 se prefiere universal para todos

usos comercial-industriales en los niveles de la disipación de poder

a aproximadamente 50 vatios. La resistencia termal baja y

el coste bajo del paquete del TO-220 contribuye a su ancho

aceptación en la industria.

Tipo del FET Canal N
Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) 55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C 110A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs 146nC @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds 3247pF @ 25V
Característica del FET -
Disipación de poder (máxima) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C

 

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