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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.

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Canal BC2301 del uso SOT-23 P de los dispositivos portátiles del Mosfet de la baja tensión

Categorías de Producto

diodo de rectificador rápido de la recuperación

 [57]

Diodo de rectificador de fines generales

 [35]

diodo de rectificador de la barrera de Schottky

 [45]

Diodo Zener

 [19]

Transistor de SMD

 [8]

puente rectificador del silicio

 [12]

diodo de transferencia de alta velocidad

 [7]

Diodo transitorio del supresor del voltaje de las TV

 [8]

Diodo bajo de VF Schottky

 [1]

Diodo del supresor del ESD

 [1]

MOSFET de la baja tensión

 [4]

MOSFET del alto voltaje

 [1]
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Guangdong Huixin Electronics Technology Co., Ltd.
Ciudad:dongguan
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MsMarissa Wang
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China Canal BC2301 del uso SOT-23 P de los dispositivos portátiles del Mosfet de la baja tensión wholesale
  • China Canal BC2301 del uso SOT-23 P de los dispositivos portátiles del Mosfet de la baja tensión wholesale

Canal BC2301 del uso SOT-23 P de los dispositivos portátiles del Mosfet de la baja tensión
Preguntar último precio
Número de modelo :BC2301
Lugar del origen :China
Cantidad de orden mínima :3000pcs
Condiciones de pago :T/T, Paypal, efectivo
Plazo de expedición :2-4 semanas
Capacidad de la fuente :1 mil millones pedazos del mes
Detalles de empaquetado :3000pcs/carrete
Tipo :MOSFET de la baja tensión
Material :Silicio
Paquete :SOT-23
MPQ :3000pcs
MOQ :3000pcs
Tiempo de la muestra :5-7days
Muestra :libre
Plazo de ejecución :2-4weeks
Situación sin plomo :RoHS
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SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS
 
BC2301 MOSFET del P-canal 20-V (D-S)
 
BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf
 
 
CARACTERÍSTICAS
 
 
MOSFET del poder de TrenchFET
MARCA: 2301
 
 
USOS
 
 
Interruptor de la carga para los dispositivos portátiles
Convertidor de DC/DC
 
 
Grados máximos (TA =25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
 
Parámetro
Símbolo
Valor

 

Unidad

 
Voltaje de la Dren-fuente
VDS
-20

 

V

 
Voltaje de la Puerta-fuente
VGS
±8

 

V

 
Corriente continua del dren
Identificación
-2,3

 

 
Corriente pulsada del dren
IDM
-10

 

 
Corriente de diodo continua del Fuente-dren
ES
-0,72

 

 
Disipación de poder máxima
Paladio
0,35

 

W

 

 

 
 
 
Paquete montado superficial plástico; 3 ventajas
 
los productos del mosfet del P-canal son los más populares de Norteamérica, de Asia sudoriental, y de Europa occidental.
 
Una amplia variedad de opciones del mosfet del p-canal están disponibles para usted. Usted puede también elegir en del agujero, soporte de la superficie. Así como de muestras libres.
Etiquetas de productos:

igbt is a voltage controlled device

igbt device

igbt diode
Carro de la investigación 0

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