modo de agotamiento mosfet

METROsistema operativoFhora del EsteFuerzaElectrónicaMGSF2N02ELT1G SOT-23 Paquete 2.8 A 20 VN Modo de mejora de canal Transistor MOSFET...

Descripción general de la descripción del MOSFET del modo del aumento del P-canal de -30V: El 9435A es los solos transistores de efecto de campo del ......

Chip de circuito integrado de 40 V DMT47M2SFVWQ MOSFET de modo de mejora de canal N a 150 °C Descripción del producto DMT47M2SFVWQ DMT47M2SFVWQ N-C...

DMN26D0UFB4-7 Diodos MOSFET Modo de mejora MOSFET 20V N-Chan X2-DFN1006 Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape. F...

Mosfet linear del poder del foso del mosfet del poder del MOSFET del MODO del AUMENTO del P-CANAL de ZXMP10A17E6TA 100V CARACTERÍSTICAS • E...

MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A) 1.Description Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la p...

El transistor linear 2N5458 JFETs del Mosfet del poder llevó los chips CI de las televisiones Agotamiento de fines generales del − de N−...

Las condiciones de las pruebas de ensayo se especifican en el punto 6.2.Se aplicará el método de medición de la velocidad. Parámetros del producto...

Categoría de producto: MOSFET Tecnología: Si Montaje de estilo: SMD/SMT Paquete/caso: SOT-223-4...

Transistor del Mosfet del poder de RA30H1317M para el uso de radio móvil 135-175MHz 30W 12.5V DESCRIPCIÓN El RA30H1317M es un módulo del amplificador ......

4A 500V 2.1Ω MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N para energía de espera MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N No de la parte...

MOSFET -20V, -5.4A, 33mΩ del poder de Enhancement−Mode del P-canal del MOSFET NVMS5P02 del poder más elevado solo [Quién somos?] C...

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel DESCRIPCIÓN El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a proporcione el RDS excelente (EN...

Paquete del canal N 600V TO220F-3 de JY16M MOSFET del poder del modo del aumento para el conductor del motor de BLDC DESCRIPCIÓN GENERAL El JY16M ut...

Modo de arranque del sistema eléctrico automático IG100 150-300 bar para el rendimiento IG100 utiliza el nitrógeno 100% presurizado, que representa...

Nuevo transistor original PNP SOT-23 (SOT-23-3) LN2306LT1G del MOSFET NPN Productos Descripción: 1. MOSFET N-CH 30V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R del transp...

Descripción del producto: El Transistor de Efecto de Campo de Metal-óxido-semiconductor de carburo de silicio (SiC MOSFET) es un dispositivo de alta...

Paquete doble To-50 del audión de la radiofrecuencia del tubo de la cruz del efecto de campo del canal N de la puerta MOS dual de la puerta del canal...