JUYI JY16M Controlador de potencia Mosfet Alta eficiencia de modo de interruptor de energía para la placa del conductor del motor BLDC

Número de modelo:JY16M
Cantidad de orden mínima:1 set
Detalles de empaquetado:Cartón del PE bag+
Lugar del origen:China
Plazo de expedición:5-10 días
Condiciones de pago:T/T, L/C, Paypal
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Paquete del canal N 600V TO220F-3 de JY16M
MOSFET del poder del modo del aumento para el conductor del motor de BLDC

DESCRIPCIÓN GENERAL
El JY16M utiliza las últimas técnicas de proceso del foso para alcanzar la alta célula
la densidad y reduce la en-resistencia con el alto grado repetidor de la avalancha. Éstos
las características combinan para hacer este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para
uso en el uso de la transferencia del poder y una amplia variedad de otros usos.


CARACTERÍSTICAS
● 600V/4A, RDS (ENCENDIDO) =2.6Ω@VGS=10V
Transferencia rápida del ● y recuperación reversa del cuerpo
Paquete excelente del ● para la buena disipación de calor


USOS
Iluminación del ●
Fuentes de alimentación del modo del interruptor de la eficacia alta del ●
 

Grados máximos absolutos (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroClasificaciónUnidad
VDSVoltaje de la Dren-fuente600V
VGSVoltaje de la Puerta-fuente± 30V
IdentificaciónDren continuo
Actual
Tc=25ºC4A
Tc=100ºC2,9
IDMCorriente pulsada del dren16A
PaladioDisipación de poder máxima33W
TJ TSTGTemperatura de funcionamiento del empalme y de almacenamiento
Gama
-55 a +150ºC
RθJCResistencia-empalme termal al caso1,5ºC/W
RθJAResistencia-empalme termal a ambiente62


Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroCondicionesMinutoTipoMáximoUnidad
Características estáticas
BVDSSDren-fuente
Voltaje de avería
VGS =0V, IDENTIFICACIÓN =250UA600V
IDSSVoltaje cero de la puerta
Drene la corriente
VDS =600V, VGS =0V1UA
IGSSSalida del Puerta-cuerpo
Actual
=± 30V, VDS =0V de VGS± 100nA
VGS (th)Umbral de la puerta
Voltaje
VDS = VGS, IDENTIFICACIÓN =250UA2,03,04,0V
RDS (ENCENDIDO)Dren-fuente
resistencia del En-estado
VGS =10V, IDENTIFICACIÓN =4A2,62,8Ω


Características eléctricas (Tc=25ºC a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroCondicionesMinutoTipoMáximoUnidad
Características de diodo de la Dren-fuente
VSDDiodo adelante
Voltaje
VGS =0V, DSI =2A1,5V
TrrTiempo de recuperación reversaDSI =4A
di/dt=100A/us
260ns
QrrCarga reversa de la recuperación1,5nC
Características dinámicas
RGResistencia de la puertaVGS =0V, VDS =0V,
f=1MHZ
5Ω
TD (encendido)Tiempo de retraso de aberturaVDS =300V,
RG =25Ω,
IDENTIFICACIÓN =4A, VGS =10V,
15ns
TrTiempo de subida de abertura48
TD (apagado)Tiempo de retraso de la vuelta-apagado28
TfTiempo de caída de la vuelta-apagado35
CISSCapacitancia de la entradaVGS =0V,
VDS =25V,
f=1.0MHz
528PF
COSSCapacitancia de salida72
CRSSTransferencia reversa
Capacitancia
9
QgCarga total de la puertaVDS =480V, IDENTIFICACIÓN =4A,
VGS =10V
16nC
QgsCarga de la Puerta-fuente3,5
QgdCarga del Puerta-dren7,1


 

 

MANUAL DEL USUARIO DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA JY16M

JY16M.pdf

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