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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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Electrónica de poder del MOSFET
Transistores de efecto de campo del P-canal 20V 5.3A de IRF7314TRPBF SOP-8 dos (MOSFETs)
Transistores de efecto de campo del P-canal 20V 5.3A de IRF7314TRPBF SOP-8 dos (MOSFETs) Especificación Envío: 1, nosotros puede envío
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STF5NK100Z TO-220FPAB-3 MOSFET>N-channel 1kV 3.5A
STF5NK100Z TO-220FPAB-3 MOSFET>N-channel 1kV 3.5A Descripción: Tipo: Voltaje de la fuente del dren del canal N (Vdss): corriente continua del dr
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STD6N95K5 TO-252-3 MOSFET>N-channel 950V 9A
STD6N95K5 TO-252-3 MOSFET>N-channel 950V 9A Descripción: Tipo: Voltaje de la fuente del dren del canal N (Vdss): corriente continua del dr
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Transferencia del poder del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3
Electrónica de poder del MOSFET Transferencia del poder del alto rendimiento SI2347DS-T1-BE3 Anuncio del producto: SI2347DS-T1-BE3 -
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Punto bajo del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SQ2319ADS-T1-BE3 en resistencia
Electrónica de poder del MOSFET Punto bajo del alto rendimiento SQ2319ADS-T1-BE3 en resistencia Características: • MOSFET del
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Electrónica de poder del MOSFET del canal N SQ2309ES-T1_BE3 para la transferencia de gran eficacia
Anuncio del producto: MOSFET SQ2309ES-T1_BE3 Características: • En-resistencia baja• Disipación de poder más elevado• Carga baja de la pu
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Canal N de la baja tensión del alto rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SQ2315ES-T1_BE3
Electrónica de poder del MOSFET Canal N de la baja tensión del alto rendimiento SQ2315ES-T1_BE3 Parámetros del producto:
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Carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de la eficacia alta del transistor de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 para el funcionamiento mejorado
Anuncio del producto: MOSFET del canal N SQM120P10_10M1LGE3 Características: • voltaje de la Dren-fuente 100V • corriente continua del
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Solución confiable de alto rendimiento de la gestión del poder de la electrónica de poder del MOSFET SQJ872EP-T1_GE3
Solución confiable de alto rendimiento de la gestión del poder de la electrónica de poder del MOSFET SQJ872EP-T1_GE3 Características:
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Rendimiento de la electrónica de poder del MOSFET SQ7415AEN-T1_GE3 alto y solución confiable de la transferencia del poder
Poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 Alto rendimiento de la electrónica y solución confiable de la transferencia del poder Parámetros:
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