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Electrónica de poder del MOSFET
Punto bajo del alto rendimiento SQ2319ADS-T1-BE3 en resistencia
Características:
• MOSFET del modo del aumento del canal N
• En-resistencia baja RDS (encendido)
• Voltaje bajo del umbral de la puerta
• Transferencia de alta velocidad
• RoHS obediente
Usos:
• Sistema de gestión de la batería
• Usos automotrices
• Convertidores de poder automotrices
• Fuentes de alimentación que cambian
• Usos del control de motor
Parámetros:
• Voltaje de la Dren-fuente: -20V a -200V
• Drene actual: -23A (Tc=25℃)
• Voltaje de la Puerta-fuente: -2.0V a -20V
• En-resistencia de la Dren-fuente: 18mΩ (VGS=-10V)
• Disipación de poder máxima: 2.3W (Tc=25℃)
• Temperatura de funcionamiento: -55℃ a +150℃
• Temperatura de almacenamiento: -55℃ a +150℃
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