Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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Carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de la eficacia alta del transistor de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 para el funcionamiento mejorado

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Carga baja de la puerta de la En-resistencia baja de la eficacia alta del transistor de poder del MOSFET SI2347DS-T1-BE3 para el funcionamiento mejorado

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Number modelo :SI2347DS-T1-BE3
Lugar del origen :Multi-origen
Cantidad de orden mínima :1
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente :99999
Plazo de expedición :1-7days
Detalles de empaquetado :Estándar
Situación del producto :Activo
Tipo del FET :P-canal
tecnología :MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :120A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :4.5V, 10V
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MOSFET del canal N SQM120P10_10M1LGE3


Características:

• voltaje de la Dren-fuente 100V

• corriente continua del dren 10A

• 120mOhms @ 10V, 25°C RDS (encendido)

• Carga baja de la puerta

• En-resistencia baja

• Capacitancia entrada y de salida baja

• Voltaje bajo del umbral

• Transferencia rápida

• El ESD protegió

• RoHS obediente

• Halógeno libre

 

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