Solución confiable de alto rendimiento de la gestión del poder de la electrónica de poder del MOSFET SQJ872EP-T1_GE3
Características:
• En-resistencia baja
• Carga baja de la puerta
• Capacitancia de salida baja
• Poder más elevado y capacidad de dirección actual
• Capacitancia entrada baja
• Avalancha clasificada
Parámetros:
• Voltaje de la Dren-fuente: 600V
• Corriente continua del dren: 8.2A
• En-resistencia de la Dren-fuente: 0.66ohm
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Disipación de poder: 1.2W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a +150°C
• Montaje del tipo: A través del agujero
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