Electrónica de poder del MOSFET
Canal N de la baja tensión del alto rendimiento SQ2315ES-T1_BE3
Parámetros del producto:
• Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 600V
• Identificación @ 25°C: 23A
• Rds (encendido) @ 25°C: 0.028ohm
• Voltaje de la Puerta-fuente (Vgs): ±20V
• Rds (encendido) @ 100°C: 0.041ohm
• Paladio @ 25°C: 125W
• Transconductancia (gm): 15.3S
• Qg @ 25°C: 7.2nC
• Carga de la puerta (Qgs): 2.3nC
• Vth @ 25°C: 3.2V
• Qgd @ 25°C: 3.5nC
• Qgs @ 25°C: 4.9nC
• CISS: 8200pF
• Coss: 3900pF
• Crss: 61pF
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