Electrónica de poder del MOSFET
Transferencia del poder del alto rendimiento SI2347DS-T1-BE3
Anuncio del producto:
SI2347DS-T1-BE3 - MOSFET del poder del canal N
Características:
- En-resistencia baja
- Capacitancia entrada baja
- Carga baja de la puerta
- Transferencia de alta velocidad
Especificaciones:
- Voltaje de la Dren-fuente (Vdss): 30V
- Voltaje de la Puerta-fuente (Vgss): +/-20V
- Drene la corriente (identificación): 11A
- Disipación de poder: 15W
- En-resistencia (Rds): 0,0046 ohmios
- Capacitancia entrada (CISS): 590pF
- Carga de la puerta (Qg): 11.4nC
- Temperatura de funcionamiento: -55°C a 150°C
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