Anuncio del producto:
MOSFET SQ2309ES-T1_BE3
Características:
• En-resistencia baja
• Disipación de poder más elevado
• Carga baja de la puerta
• Velocidad que cambia rápida
• Avalancha clasificada
• RoHS obediente
Grados máximos absolutos
• Drene el voltaje de la fuente: 30V
• Voltaje de la Puerta-fuente: ±20V
• Corriente continua del dren: 20A
• Disipación de poder: 170W
• Temperatura de funcionamiento: -55°C a 175°C
• Temperatura de almacenamiento: -55°C a 175°C
• Temperatura de la ventaja (el soldar, 10sec): 300°C
Características eléctricas
• Voltaje de avería de la Dren-fuente: 30V
• Voltaje del umbral de la puerta: 2.5V
• En-resistencia: 0.0022Ω
• Carga máxima de la puerta: 5.2nC
• Resistencia máxima del En-estado de la Dren-fuente: 0.0022Ω
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