Categorías de Producto

Transistor de poder del Mosfet

[236]

Transistores de poder de la extremidad

[60]

Transistor de poder del silicio

[38]

Diodo que cambia dual

[30]

Mos Field Effect Transistor

[58]

Mosfet en doble canal

[20]

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

[12]

Diodo Zener del poder

[12]

Puente rectificador de Schottky

[20]

Diodo de rectificador de alto voltaje

[30]

Triodo del semiconductor

[18]

Estabilizador IC del voltaje

[28]

Contacta

Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

Ciudad:shenzhen

Provincia / Estado:guangdong

País/Región:china

Persona de contacto:MrDavid Lee

Ver detalles de contacto

Contacta

Transistor de poder del Mosfet HXY2300, transferencia rápida del transistor de efecto de campo

Name: Transistor de poder del Mosfet HXY2300 transferencia rápida del transistor de efecto de campo
Brand: Hua Xuan Yang
Price: 1 USD

Preguntar último precio

Place of Origin :ShenZhen China

Brand Name :Hua Xuan Yang

Certification :RoHS、SGS

MOQ :1000-2000 PCS

Price :Negotiated

Packaging Details :Boxed

Delivery Time :1 - 2 Weeks

Payment Terms :L/C T/T Western Union

Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day

Model Number :HXY2300

Product name :Mosfet Power Transistor

VDSS :20V

Material :Silicon

Power Mosfet Transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate

Type :mosfet transistor

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS HXY2300

Resumen del producto

MΩ@ 4.5V 5,0 de VDSS= RDS (encendido) V ID= 32 A < VGS = z RDS (encendido) < mΩ@VGS = 2.5V 40 z z 20 40 mΩ@VGS de z RDS (encendido) < 53 = 1.8V

USO

transferencia de la carga del z de los convertidores del z DC/DC para los usos portátiles

CARACTERÍSTICA

MOSFET del poder de TrenchFET del z

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario