A. El valor del_θJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con T_A =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder P_D se basa en T_J(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme T_J(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

initialT =25°C.

D. _ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar el_θJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4

2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de T_J(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.

G. El ciclo de trabajo el 5% del punto máximo, limitado por la temperatura de empalme TJ (max) =125°C.

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

Etiquetas de productos:

Impulsión de la puerta del nivel de la lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

Transistor de poder del Mosfet

Transistores de poder de la extremidad

Transistor de poder del silicio

Diodo que cambia dual

Mos Field Effect Transistor

Mosfet en doble canal

Diodo de rectificador rápido de la recuperación

Diodo Zener del poder

Puente rectificador de Schottky

Diodo de rectificador de alto voltaje

Triodo del semiconductor

Estabilizador IC del voltaje

Impulsión de la puerta del nivel de la lógica de AlphaSGT HXY4266 Mos Field Effect Transistor 60v

sata power to molex

molex to sata power

sata to molex power