Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Miembro activo
7 Años
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Canal N VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor de poco ruido

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Canal N VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor de poco ruido

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY4466
Product name :Mosfet Power Transistor
VDS :30V
RDS(ON) < 35mΩ :(VGS = 4.5V)
RDS(ON) < 23mΩ :(VGS = 10V)
Type :mosfet transistor
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60V canal N AlphaSGT HXY4264
 

 

Resumen del producto

 

VDS 30V
I = 10A VGS = 10V)
RDS (ENCENDIDO) < 23mΩ (VGS = 10V)
RDS (ENCENDIDO) < 35mΩ (VGS = 4.5V)


 

Descripción general

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones HXY4466 a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO) y la carga baja de la puerta. Esto

el dispositivo es conveniente para el uso como interruptor de la carga o en PWM

usos. Las ventajas de la fuente se separan para permitir

una conexión de Kelvin a la fuente, que puede ser

utilizado para puentear la inductancia de la fuente.

 

Canal N VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor de poco ruido

 

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

Canal N VGS 10V de HXY4466 30V Mos Field Effect Transistor de poco ruido

 

 

 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

initialT =25°C.

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4

2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.

G. El ciclo de trabajo el 5% del punto máximo, limitado por la temperatura de empalme TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

 

 

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