Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Miembro activo
7 Años
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MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor

Preguntar último precio
Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY2302Z
Product name :Mosfet Power Transistor
Power Mosfet Transistor :SOT-23 Plastic-Encapsulate
Tj :150℃
RDS(ON) < 23mΩ :(VGS = 10V)
Type :mosfet transistor
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SOT-23 Plástico-encapsulan el MOSFET del canal N 20-V (D-S) de los MOSFETS HXY2302Z

 

 

Resumen del producto

 
RDS (encendido) <60mΩ@VGS=4.5V
RDS (encendido) <73mΩ@VGS=2.5V
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
Grados máximos (Ta=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor
 
 
T =25 un ℃ salvo especificación de lo contrario
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor
 
Característica típica
 
 
MOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect TransistorMOSFET del canal N 20-V (D-S) de HXY2302Z Mos Field Effect Transistor
 
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