Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd

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Carga de la puerta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para el uso que cambia

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Shenzhen Hua Xuan Yang Electronics Co. , Ltd
Ciudad:shenzhen
Provincia / Estado:guangdong
País/Región:china
Persona de contacto:MrDavid Lee
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Carga de la puerta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para el uso que cambia

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Place of Origin :ShenZhen China
Brand Name :Hua Xuan Yang
Certification :RoHS、SGS
MOQ :1000-2000 PCS
Price :Negotiated
Packaging Details :Boxed
Delivery Time :1 - 2 Weeks
Payment Terms :L/C T/T Western Union
Supply Ability :18,000,000PCS / Per Day
Model Number :HXY4404
Product name :Mosfet Power Transistor
RDS(ON) (at VGS=10V) :< 24mΩ
Material :Silicon
RDS(ON) (at VGS = 2.5V) :< 48mΩ
Type :mosfet transistor
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60V canal N AlphaSGT HXY4264
 

 

Resumen del producto

 

 

VDS 30V
Identificación (en VGS=10V) 8.5A
RDS (ENCENDIDO) (en VGS=10V) < 24mΩ
RDS (ENCENDIDO) (en VGS = 4.5V) < 30mΩ
RDS (ENCENDIDO) (en VGS = 2.5V) < 48mΩ

 

 

Descripción general

 

La tecnología avanzada del foso de las aplicaciones HXY4404 a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga de la puerta y la operación bajas

con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V. Este dispositivo hace

alto interruptor lateral excelente para la base DC-DC de la CPU del cuaderno

conversión.

 

 

Usos

 

Fuente de alimentación de la eficacia alta

Rectificador secundario del synchronus

 

Carga de la puerta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para el uso que cambia

 

 

Características eléctricas (T =25°C a menos que se indicare en forma diferente)

 

Carga de la puerta de HXY4404 Mos Field Effect Transistor Low para el uso que cambia

 

 

A. El valor delθJAde R se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4 con 2oz. Revista con cobre, en un ambiente de aire inmóvil con TA =25°C.

el valor en cualquier uso dado depende del diseño específico del tablero del usuario.

B. La disipación de poder PD se basa en TJ(max) =150°C, usando resistencia termal empalme-a-ambiente del ≤ 10s.

C. el grado repetidor, anchura de pulso limitada por grados de la temperatura de empalme TJ(max) =150°C. se basa en de baja fricción y ciclos de trabajo para guardar

initialT =25°C.

D. ElθJAde R es la suma de la impedancia termal del empalme para llevar elθJLde R y a llevar a ambiente.

E. Las características estáticas en los cuadros 1 a 6 se obtienen usando los pulsos de <300µs, máximo del ciclo de trabajo 0,5%.

F. Estas curvas se basan en la impedancia termal empalme-a-ambiente con la cual se mide con el dispositivo montado en tablero de 1in2 FR-4

2oz. Revista con cobre, asumiendo que una temperatura de empalme máxima de TJ(max) =150°C. la curva de SOA proporciona un solo grado del pulso.

G. El ciclo de trabajo el 5% del punto máximo, limitado por la temperatura de empalme TJ (max) =125°C.

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS

 

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