Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

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Transistor del diodo

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 Transistor del diodo

Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

Parada de campo del foso de RGS80TSX2DHRC11 IGBT 1200 V 80 A 555 W a través del agujero TO-247N Características: ●Colector bajo - voltaje de saturaci....
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Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc del canal N de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB

Canal N 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB Características: Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies ...
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STPSC10H065BY-TR Diodo superficial 650 V 10A DPAK del soporte del diodo de Smd

STPSC10H065BY-TR Diodo 650 V 10A Montaje en superficie DPAK Ficha de datos:STPSC10H065BY-TR Categoría diodos individuales Fabricante STMicroelectr...
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Soporte superficial TO-252AA del circuito 800V 4A Tc 52W Tc del Mosfet del canal N del Fet de FCD1300N80Z

Soporte TO-252AA de la superficie 52W (Tc) del canal N 800 V 4A (Tc) de FCD1300N80Z Ficha técnica: FCD1300N80Z Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr ...
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Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3

BUF420AW Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 30 A 200 W Orificio pasante TO-247-3 Características: ●TIPO DE VENTA PREFERENTE DE STMicroelectronics ......
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Soporte superficial 8-SOIC de IC 100V 4.5A 2.5W del arsenal del Mosfet del canal N FDS3992

Soporte superficial 8-SOIC del arsenal 100V 4.5A 2.5W del Mosfet FDS3992 Ficha técnica: FDS3992 Categoría El FET, MOSFET pone en orden Mfr onsemi ......
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Nivel N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 de la lógica del Mosfet del canal N del poder más elevado de IPP65R110CFDA

Canal N 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) de IPP65R110CFDA a través del agujero PG-TO220-3 Características: IPP65R110CFDA Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr ...
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Agujero PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough del Mosfet del canal N de IMZ120R090M1H INFINEON

Canal N 1200 V 26A (Tc) 115W (Tc) de IMZ120R090M1H a través del agujero PG-TO247-4-1 Características: IMZ120R090M1H Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr ...
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Canal N 650 V 31.2A Tc 277.8W Tc PG-TO220-3 del transistor y del tiristor del diodo de IPP65R110CFDA

Canal N 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) de IPP65R110CFDA a través del agujero PG-TO220-3 Características: Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr Infineon ......
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Soporte superficial ATPAK del Mosfet 60 V 55A TA 60W Tc del P-canal del transistor del diodo de ATP114-TL-H

ATP114-TL-H Canal P 60 V 55 A (Ta) 60 W (Tc) Montaje en superficie ATPAK Características:ATP114-TL-H Categoría FET individuales, MOSFET Fabricante ......
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