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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrwill

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Mosfet Ic 40 V 195A Tc 294W Tc del canal N de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB

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Number modelo :IRFB7434PBF

Lugar del origen :Estados Unidos

Cantidad de orden mínima :50 PCS

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de la fuente :20K PCS

Plazo de expedición :2-3 días

Detalles de empaquetado :50 PCS/Tube

Categoría :Solos FETs, MOSFETs

Mfr :Infineon Technologies

Serie :HEXFET®, StrongIRFET™

Situación del producto :Activo

Tipo del FET :Canal N

Tecnología :MOSFET (óxido de metal)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :40V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :195A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1.6mOhm @ 100A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :3.9V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :324 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :10820 PF @ 25 V

Disipación de poder (máxima) :294W (Tc)

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaje del tipo :A través del agujero

Paquete del dispositivo del proveedor :TO-220AB

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