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Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3

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Ciudad:shenzhen
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China Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3 wholesale
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Transistor bipolar 450 V 30 A 200 W del diodo de BUF420AW BJT NPN a través del agujero TO-247-3
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Number modelo :BUF420AW
Lugar del origen :Malasia
Cantidad de orden mínima :30 PCS
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente :6K PCS
Plazo de expedición :2-3 días
Detalles de empaquetado :30 PCS/Tube
Categoría :Transistores bipolares - BJT
Mfr :STMicroelectronics
Tipo del transistor :NPN
Actual - colector (Ic) (máximo) :30 A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :450 V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic :500mV @ 4A, 20A
Poder - máximo :200 W
Temperatura de funcionamiento :150°C (TJ)
Montaje del tipo :A través del agujero
Paquete/caso :TO-247-3
Paquete del dispositivo del proveedor :TO-247-3
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