Categorías de Producto

Chip IC de memoria

[13]

Chips sensores

[9]

Chip CI del poder

[172]

Microcontrolador IC

[10]

Conector CI

[59]

Cambiar chip IC

[13]

Módulo del interfaz de comunicaciones

[8]

Microprocesador del conductor del motor

[10]

Transistor de diodo

[15]

Convertidor de datos IC

[11]

Amplificador IC

[10]

Contacta

Shenzhen Zhaocun Electronics Co., Ltd.

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrwill

Ver detalles de contacto

Contacta

Agujero PG-TO247-4-1 del diodo 1200 V 26A Tc 115W Tc Hrough del Mosfet del canal N de IMZ120R090M1H INFINEON

Preguntar último precio

Number modelo :IMZ120R090M1H

Lugar del origen :Estados Unidos

Cantidad de orden mínima :30 PCS

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de la fuente :18K PCS

Plazo de expedición :2-3 días

Detalles de empaquetado :30 PCS/Tube

Categoría :Solos FETs, MOSFETs

Mfr :Infineon Technologies

Serie :CoolSiC

Situación del producto :Activo

Tipo del FET :Canal N

Tecnología :SiCFET (carburo de silicio)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :1200 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :26A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :15V, 18V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :117mOhm @ 8.5A, 18V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :5.7V @ 3.7mA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :21 nC @ 18 V

Vgs (máximo) :+23V, -7V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :707 PF @ 800 V

Disipación de poder (máxima) :115W (Tc)

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 175°C (TJ)

Montaje del tipo :A través del agujero

Paquete del dispositivo del proveedor :PG-TO247-4-1

Paquete/caso :TO-247-4

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Carro de la investigación 0