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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrwill

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Nivel N 650V 31.2A Tc 277.8W PG-TO220-3 de la lógica del Mosfet del canal N del poder más elevado de IPP65R110CFDA

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Number modelo :IPP65R110CFDA

Lugar del origen :Estados Unidos

Cantidad de orden mínima :50 PCS

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de la fuente :6K PCS

Plazo de expedición :2-3 días

Detalles de empaquetado :50 PCS/Tube

Categoría :Solos FETs, MOSFETs

Mfr :Infineon Technologies

Serie :Automotriz, AEC-Q101, CoolMOS™

Situación del producto :Activo

Tipo del FET :Canal N

Tecnología :MOSFET (óxido de metal)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :650V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :31.2A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :110mOhm @ 12.7A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 1.3mA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :118 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :3240 PF @ 100 V

Disipación de poder (máxima) :277.8W (Tc)

Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo :A través del agujero

Paquete del dispositivo del proveedor :PG-TO220-3

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