Categorías de Producto

Chip CI de la memoria

[11]

Microprocesadores del sensor

[10]

Chip CI del poder

[61]

Inductores de los condensadores de los resistores

[34]

Microcontrolador IC

[15]

Conector IC

[12]

Chip CI del interruptor

[15]

Módulo del interfaz de comunicaciones

[10]

Chip CI de la retransmisión

[10]

Conductor Chip del motor

[10]

Transistor del diodo

[14]

Convertidor de datos IC

[10]

Amplificador IC

[10]

Contacta

Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

Ciudad:shenzhen

País/Región:china

Persona de contacto:Mrwill

Ver detalles de contacto

Contacta

Soporte superficial TO-252AA del circuito 800V 4A Tc 52W Tc del Mosfet del canal N del Fet de FCD1300N80Z

Preguntar último precio

Number modelo :FCD1300N80Z

Lugar del origen :Estados Unidos

Cantidad de orden mínima :2500 PCS

Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T

Capacidad de la fuente :12.5K PCS

Plazo de expedición :2-3 días

Detalles de empaquetado :2500 PCS/Tape

Fabricante :onsemi

Categoría :Solos FETs, MOSFETs

Número del producto :FCD1300N80Z

Serie :SuperFET® II

Situación del producto :No para los nuevos diseños

Tecnología :MOSFET (óxido de metal)

Drene al voltaje de la fuente (Vdss) :800 V

Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C :4A (Tc)

Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) :10V

Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs :1.3Ohm @ 2A, 10V

Identificación de Vgs (th) (máximo) @ :4.5V @ 400µA

Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs :21 nC @ 10 V

Vgs (máximo) :±20V

Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds :880 PF @ 100 V

Disipación de poder (máxima) :52W (Tc)

Temperatura de funcionamiento :-55°C ~ 150°C (TJ)

Montaje del tipo :Soporte superficial

Paquete/caso :TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63

Paquete del dispositivo del proveedor :TO-252AA

Contacta

Add to Cart

Ver descripción del producto

Carro de la investigación 0