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Electrónica Co., Ltd. de Shenzhen Zhaocun

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Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W

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Microcontrolador IC

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China Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W wholesale
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Parada de campo del foso del semiconductor IGBT de RGS80TSX2DHRC11 TO-247N ROHM 1200 V 80 A 555 W
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Number modelo :RGS80TSX2DHRC11
Lugar del origen :Japón
Cantidad de orden mínima :30 PCS
Condiciones de pago :L/C, D/A, D/P, T/T
Capacidad de la fuente :6K PCS
Plazo de expedición :2-3 días
Detalles de empaquetado :30 PCS/Tube
Categoría :Solo IGBTs
Mfr :Semiconductor de Rohm
paquete :Tubo
Tipo de IGBT :Parada de trinchera
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) :1200 V
Actual - colector (Ic) (máximo) :80A
Actual - colector pulsado (Icm) :120A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic :2.1V @ 15V, 40A
Poder - máximo :555 W
Tipo entrado :Estándar
Carga de la puerta :104 nC
Condición de prueba :600V, 40A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación reversa (trr) :198 ns
Temperatura de funcionamiento :-40°C ~ 175°C
Montaje del tipo :A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor :TO-247N
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