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Oblea sic epitaxial

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

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Oblea Epi GaAs

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Sustratos de diamante CVD

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Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

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Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

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oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

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Tenedor de la oblea del

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Cortadora de obleas

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 Oblea sic epitaxial
China nivel P SI los 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω del substrato de 4inch 4H-SiC·cm para el poder y la microonda for sale

nivel P SI los 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω del substrato de 4inch 4H-SiC·cm para el poder y la microonda

Nivel P SI los 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω del substrato de JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC·cm para los dispositivos del poder y de la microon...
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China Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Resistividad ≥1E9Ω·Cm para alimentación y microondas for sale

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μM MPD≤0,3/Cm2 Resistividad ≥1E9Ω·Cm para alimentación y microondas

JDCD03-002-001 Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μm MPD≤0,3/cm2 Resistividad≥1E9Ω·cm para dispositivos de potencia y microondas &nb....
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China Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm for sale

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P Tipo N 350,0±25,0 μM MPD≤0,5/Cm2 Resistividad 0,015 Ω•Cm—0,025 Ω•Cm

Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel D Tipo N 350,0±25,0 μm MPD≤5/cm2 Resistividad 0,015 Ω•cm—0,025 Ω•cm para dispositivos de potencia y microondas &n....
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China CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal for sale

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

C-cara sic epitaxial de la oblea JDCD03-001-004: Polaco óptico, Si-cara: CMP Descripción Implica el crecimiento de cristales de un material
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China Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario for sale

Sustrato tipo N SiC 4H de 6 pulgadas, 47,5 mm, sin plano secundario

Sustrato 4H-SiC de 6 pulgadas Tipo N P-SBD Grado 350.0±25.0μc MPD≤0.5/cm2Resistividad 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm para potencia y microondas
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China Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001 for sale

Sustrato epitaxial de la oblea de SiC de la oblea de 4H SiC para los dispositivos fotónicos ISO9001

Oblea epitaxial 4H SiC ≤0,2 /Cm2 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm JDCD03-001-004 Descripción general Una oblea epitaixal es
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China Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder for sale

Nivel P los 260μm de la oblea de semiconductor de 2 pulgadas para los dispositivos de la microonda de los dispositivos de poder

Sic nivel P de 2 pulgadas los 4H-N/SI260μm±25μm del substrato JDCD03-001-001 para los dispositivos de poder y los dispositivos de la microonda De
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China 4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm for sale

4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm

4H oblea sic epitaxial ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm-0.025Ω•Cm 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Descripción Las obleas de 200 milímetros se
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China P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D for sale

P MOS Grade 2 avanza lentamente sic el SBD del nivel P P de la oblea de Epi califica el grado 150.0m m de D

El nivel P de 2 pulgadas P-SBD del substrato del grado P-MOS sic califica el grado 150,0 milímetro +0mm/-0.2mm de D Sic nivel P de 2 pulgadas los 4H-
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China 150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal for sale

150,0 mm + 0 mm / -0,2 mm SiC Oblea epitaxial 4H Forma de cristal

150,0 mm +0 mm/-0,2 mm Sic Oblea epitaxial Fuera del eje: 4 ° Hacia <11-20> ± 0,5 ° JDCD03-001-004 Descripción general Una ob
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