Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Oblea Ga2O3

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Provincia / Estado:shanghai
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 Oblea Ga2O3

JDCD04-001-002 10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo Crystal Substrate Product Grade solo polaco libre de Ga2O3

10x10mm2 (- 201) Sn-dopó el solo grueso de pulido cristalino libre 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec, resistencia del grado del producto del substrato Ga2O
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JDCD04-001-003 10x10mm2 100(Off 6°) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Fe Pulido simple de grado de producto

10x10 mm2 100 (off 6°) Sustrato monocristalino de Ga2O3 independiente dopado con Fe Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350a
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0.6m m 0.8m m Ga2O3 solo Crystal Substrate Single Polishing

10x10mm2 (- 201) FE-dopó los dispositivos optoelectrónicosdel solodel substratodel GA2O3 libres del producto del grado solo grueso de pulido cristalin...
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Sola Ga2O3 oblea pulida lateral solo Crystal Substrate

10x10mm2 (- 201) FE-dopó los dispositivos optoelectrónicosdel solodel substratodel GA2O3 libres del producto del grado solo grueso de pulido cristalin...
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Situación libre libre del sustrato 10x10mm2 del solo cristal de la oblea dopada con Fe Ga2O3

10x10mm2(-201) Sustrato monocristalino de Ga2O3 autónomo dopado con Fe Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0,3
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Sn dopaje Ga2O3 oblea sustrato monocristalino 10x10mm2

10x10mm2(-201) Ga independiente dopado con Fe2O3sustrato de cristal único Pulido simple de grado de producto Espesor 0,6~0,8 mm FWHM<350arcsec,Ra≤0
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Ra 0.3nm Ga2O3 Single Crystal Oblea epitaxial 2 pulgadas 4 pulgadas

Ra≤0.3nm Espesor del sustrato monocristalino 0.6~0.8mm Orientación (-201) 10x10mm2(-201) Ga independiente dopado con Fe2O3sustrato de cristal único P....
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10x15mm2 UID dopado independiente Ga2O3 Wafer solo pulido

JDCD04-001-005 10x15mm2(-201) Ga independiente dopado con UID2O3Pulido simple de grado de producto de sustrato de cristal único 10x15mm2(-201)Sustrat
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Solo doping del UID de Crystal Gallium Oxide Substrate del semiconductor

GA2O3 solo Crystal Substrate Thickness 0.6~0.8m m FWHM 10x15mm2 (- 201) Uid-dopó el solo gruesode pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec del
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oblea Ga2O3 10x15m m de 10x10m m solo Crystal Substrate

10x15mm2 (- 201) Uid-dopó el solo gruesode pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec del grado del producto del substrato del GA2O3 libres solo,
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Carro de la investigación 0