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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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Oblea Epi GaAs

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GaN Epitaxial Wafer

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Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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 Oblea Epi GaAs
China JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas for sale

JDCD10-001-002 Substratos dopados con GaAs (100) de 2 pulgadas

Sustratos dopados con Si de GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción generalEl GaAs se usa a menudo como material de sustrato para el crecimiento
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China JDCD10-001-003 Substratos dopados con Zn for sale

JDCD10-001-003 Substratos dopados con Zn

Sustratos dopados con Zn GaAs(100) de 2 pulgadas Descripción generalEl arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar l
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China JDCD10-001-004 2 pulgadas de GaAs (111) Substratos dopados con Si for sale

JDCD10-001-004 2 pulgadas de GaAs (111) Substratos dopados con Si

111) substratos Si-dopados de 2inch GaAs ( Descripción El galio en una oblea del GaAs está en el general usado en la producción de semiconducto
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China JDCD10-001-005 2 pulgadas GaAs ((111) Substratos dopados con Zn for sale

JDCD10-001-005 2 pulgadas GaAs ((111) Substratos dopados con Zn

Sustratos dopados con Zn de GaAs(111) de 2 pulgadas Descripción generalLos cristales de GaAs se pueden crear a través de tres métodos diferen
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China JDCD10-001-001 Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas for sale

JDCD10-001-001 Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas

Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción general El arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar luz
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China substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si for sale

substratos sin impurificar VGF S-C-N de la oblea 2inch GaAs de 18m m GaAs Si

100) substratos sin impurificar de 2inch GaAs ( Descripción El GaAs es de uso frecuente como material del substrato para el crecimiento epitaxia
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China Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS for sale

Compuesto semiconductor GaAs Epi Wafer de 2 pulgadas GaAs Si Wafer UKAS

GaAs-Si 100) substratos sin impurificar de la oblea 2inch GaAs ((100) 15°±0.5° de TowardA Descripción El arseniuro de galio (fórmula química GaA
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China LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas for sale

LED de sustrato de arseniuro de galio para comunicaciones ópticas

Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción general El arseniuro de galio se utiliza en la fabricación de diodos emisores de lu
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China VGF 2 pulgadas GaAs Epi Oblea Substratos sin dopar Lado Pulido Grabado for sale

VGF 2 pulgadas GaAs Epi Oblea Substratos sin dopar Lado Pulido Grabado

Sustratos sin dopar GaAs (100) de 2 pulgadas Descripción general El arseniuro de galio de una oblea de GaAs tiene el atributo de generar luz
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China Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm for sale

Sustratos sin dopar de oblea de GaAs de 51 mm y 2 pulgadas Longitud de IF de 7 mm

50,8±0,2 mm 2 pulgadas GaAs (100) Sustratos sin dopar 7±1 mm Longitud IF Descripción general Con el desarrollo de mini-LED y micro-L
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