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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

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GaN Epitaxial Wafer

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GaN Epitaxial Wafer

 [68]

Oblea sic epitaxial

 [33]

Oblea Epi GaAs

 [15]

Sustratos de diamante CVD

 [15]

Sistema de recocido térmico rápido

 [2]

Probador de sensores de efecto Hall

 [3]

Oblea del nitruro de aluminio

 [21]

Microprocesador del diodo láser

 [10]

Cristal del carburo de silicio

 [12]

Oblea Ga2O3

 [13]

oblea de silicio

 [26]

Sapphire Wafer

 [19]

Sapphire Substrates modelada

 [10]

Tenedor de la oblea del

 [1]

Cortadora de obleas

 [5]
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Ciudad:shanghai
Provincia / Estado:shanghai
País/Región:china
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China avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15° for sale

avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la C-cara del ² de 10*10.5m m del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> DescripciónLas ...
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China Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF for sale

Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 106Dispositivos RF de Ω·cm Descripc
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China µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 for sale

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

la C-cara 10*10.5mm2 Si-dopó el n-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> DescripciónEl substrato del nitruro ...
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China 10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer for sale

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

la C-cara 10*10.5mm2 FE-dopó el SI-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm
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China n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser for sale

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> Descripción La densidad de ...
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China SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm for sale

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm
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China N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser for sale

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> DescripciónEstas obleas de GaN ...
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China Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M for sale

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10mm2 del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm
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China 5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía for sale

5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> Las redes adversarial ...
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China 5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm for sale

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) del substrato de GaN < 0=&quot;&quot;> DescripciónGaN tiene ...
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