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Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.

Ciudad:shanghai

Provincia / Estado:shanghai

País/Región:china

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avión de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) del ángulo hacia M-AXIS 0,35 ±0.15°

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la C-cara del ² de 10*10.5m m del substrato de GaN < 0=""> DescripciónLas caracterí

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Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

Sustrato monocristalino de GaN autónomo de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 106Dispositivos RF de Ω·cm Descripc

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µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

la C-cara 10*10.5mm2 Si-dopó el n-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN < 0=""> DescripciónEl substrato del nitruro del g

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China 10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer for sale

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

la C-cara 10*10.5mm2 FE-dopó el SI-tipo sola resistencia cristalina libre del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm

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n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0=""> Descripción La densidad de poder

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SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm

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N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0=""> DescripciónEstas obleas de GaN reali

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Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

SI-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la M-cara 5*10mm2 del substrato de GaN > 106 Ω·oblea de los radioinstrumentos del cm

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5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10.5mm2 (10-11) del substrato de GaN < 0=""> Las redes adversarial gene

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5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la SP-cara 5*10mm2 (10-11) del substrato de GaN < 0=""> DescripciónGaN tiene muchas

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Tenedor de la oblea del

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Sustrato monocristalino de GaN independiente de tipo SI dopado con Fe y cara C de 2 pulgadas Resistividad > 10⁶ Ω·cm Dispositivos de RF

µm del ≤ 10 del µm ±25 TTV de 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350

10*10,5mm2 Característica C Fe-dopado Tipo SI GaN de pie libre Substrato de cristal único Macro Defecto Densidad 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Resistividad 106 Ω·Cm Dispositivos de RF Wafer

n-tipo sin impurificar sola resistencia cristalina libre de la Uno-cara 5*10mm2 del substrato de GaN < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

SI-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la Uno-cara 5*10mm2 > 10 ⁶ Ω·Oblea de los radioinstrumentos del cm

N-tipo sin impurificar GaN Single Crystal Substrate Resistivity libre de la M-cara 5*10mm2 < 0,05 Ω·dispositivo de poder del cm/laser

Densidad de defecto macro 0cm−2 Tipo SI sin dopaje Substrato de cristal único independiente de GaN para dispositivos RF 5*10mm2 Cara M

5*10mm2 SP-Face 10-11 No dopado Tipo N independiente GaN Substrato de cristal único 0,1 Ω·cm Resistencia para dispositivo de energía

5x10mm2 SP-Face 10-11 Substrato de cristal único de GaN de tipo N independiente sin dopaje con TTV ≤ 10μm Resistividad 0,05 Ω·cm