Información del contacto
Persona de contacto:
Xiwen Bai (Ciel)
Nombre de empresa:
Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
Ubicacion de la empresa:
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Factory location:
Edificio 11, carril 1333, avenida Jiangnan, ciudad de Changxing, distrito de Chongming, Shanghái
Número de empleado:
>100
Tipo de negocio:
Fabricante
Marcas:
GaNova
Sitio web:
https://www.epi-wafers.com/
GaN dopado con magnesio tipo P de 4 pulgadas en oblea de zafiro Resistividad SSP
Sustrato monocristalino de galio de GaN independiente tipo N de cara A sin dopar
Zafiro plano de oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas C
12.5m m 2inch N libre GaN Epi Wafer Si Doped
100m m 4 avanzan lentamente el grueso azul 5um - 6um del LED GaN Epitaxial Wafer
Sustratos independientes de N GaN Rugosidad de la superficie de la cara N 0,5 um
Zafiro plano Oblea epitaxial GaN LED azul de 4 pulgadas en Sapphire SSP
zafiro plano de la oblea del verde LED de 4inch GaN On Sapphire Wafer Blue 100
625um 675um 4 al zafiro plano azul de la pulgada LED GaN Epitaxial Wafer On
El FE dopó a GaN Substrates Resistivity > 10 el ⁶ Ω·Radioinstrumentos del cm
4 pulgadas 4H-SiC Substrato de nivel P SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistividad
0.015Ω•cm-0.025Ω•CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de
Sustrato SiC de 2 pulgadas de 350 μm para electrónica de potencia exigente
Oblea epitaxial de SiC de 150,0 mm +0 mm/-0,2 mm 47,5 mm ± 1,5 mm
Sustrato de SiC de nivel P de 2 pulgadas para dispositivos de potencia y
