Implica el crecimiento de cristales de un material en la cara cristalina de otro (heteroepitaxy) o mismo material (homoepitaxy). La estructura de enrejado y la orientación o la simetría del enrejado del material de la película fina es idéntica a la del substrato en el cual se deposita. Lo que es más importante, si el substrato es un solo cristal, después la película fina también sea un solo cristal. Contraste con la capa monomolecular uno mismo-montada y mesotaxy.

Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Crystal Form	4H
Polytype	Ningunos permitieron		El Area≤5%
(MPD) ^a	≤0.2 /cm2	≤0.5 /cm2	≤5 /cm2
Placas del hex.	Ningunos permitieron		El Area≤5%
Polycrystal hexagonal	Ningunos permitieron
Inclusiones ^a	El Area≤0.05%	El Area≤0.05%	N/A
Resistencia	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.015Ω•cm-0.025Ω•cm	0.014Ω•cm-0.028Ω•cm
(EPD) ^a	≤4000/cm2	≤8000/cm2	N/A
(TED) ^a	≤3000/cm2	≤6000/cm2	N/A
(BPD) ^a	≤1000/cm2	≤2000/cm2	N/A
(TSD) ^a	≤600/cm2	≤1000/cm2	N/A
Falta de amontonamiento	Área del ≤0.5%	Área del ≤1%	N/A
Contaminación de metal superficial	(Al, Cr, FE, Ni, Cu, Zn, Pb, Na, K, Ti, Ca, V, manganeso) ≤1E11 cm^-2
Diámetro	150,0 milímetros +0mm/-0.2mm
Orientación superficial	De fuera del eje: ° <11-20>de 4°toward ±0.5
Longitud plana primaria	47,5 milímetros de ± 1,5 milímetros
Longitud plana secundaria	Ningún plano secundario
Orientación plana primaria	To±1° paralelo<11-20>
Orientación plana secundaria	N/A
Misorientation ortogonal	±5.0°
Final superficial	C-cara: Polaco óptico, Si-cara: CMP
Borde de la oblea	El biselar
Aspereza superficial (el 10μm×10μm)	Cara Ra≤0.20 nanómetro del Si; Cara Ra≤0.50 nanómetro de C
Grueso ^a	μm 350.0μm± 25,0
LTV (10mm×10m m) ^a	≤2μm		≤3μm
(TTV) ^a	≤6μm		≤10μm
(ARCO) ^a	≤15μm	≤25μm	≤40μm
(Deformación) ^a	≤25μm	≤40μm	≤60μm
Microprocesadores/mellas	Ningunos permitieron anchura y profundidad de ≥0.5mm		Anchura y profundidad de Qty.2 ≤1.0 milímetro
Rasguños ^a (Cara del Si, CS8520)	≤5 y diámetro acumulativo de Length≤0.5×Wafer		≤5 y Length≤1.5×Wafer acumulativo Diámetro
TUA (2mm*2m m)	el ≥98%	el ≥95%	N/A
Grietas	Ningunos permitieron
Contaminación	Ningunos permitieron
Propiedad	Grado P-MOS	Grado de P-SBD	Grado de D
Exclusión del borde	3m m

Observación: la exclusión del borde de 3m m se utiliza para los artículos marcados con ^{el A.}

Sobre nosotros

Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.

FAQ

Q: ¿Es usted empresa comercial o el fabricante?
Somos fábrica.
Q: ¿Cuánto tiempo es su plazo de expedición?
Es generalmente 3-5 días si las mercancías están en existencia.
o es 7-10 días si las mercancías no están en existencia, él está según cantidad.
Q: ¿Usted proporciona muestras? ¿está él libremente o adicional?
Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
Q: ¿Cuál es sus términos del pago?
Pago <> >=5000USD, el 80% T/T del pago por adelantado, balanza antes del envío.

Etiquetas de productos:

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

GaN Epitaxial Wafer

Oblea sic epitaxial

Oblea Epi GaAs

Sustratos de diamante CVD

Sistema de recocido térmico rápido

Probador de sensores de efecto Hall

Oblea del nitruro de aluminio

Microprocesador del diodo láser

Cristal del carburo de silicio

Oblea Ga2O3

oblea de silicio

Sapphire Wafer

Sapphire Substrates modelada

Tenedor de la oblea del

Cortadora de obleas

CMP polaco óptico de la Si-cara de la C-cara sic epitaxial de la oblea del solo cristal

edge polishing glass

cerium oxide glass polishing compound

can tempered glass be etched