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JDCD03-002-001 Sustrato 4H-SiC de 4 pulgadas Nivel P SI 500,0±25,0 μm MPD≤0,3/cm2 Resistividad≥1E9Ω·cm para dispositivos de potencia y microondas
Descripción general
El SiC tiene una conductividad térmica más alta que el GaAs o el Si, lo que significa que, en teoría, los dispositivos de SiC pueden funcionar a densidades de potencia más altas que el GaAs o el Si.La conductividad térmica más alta combinada con una brecha de banda ancha y un campo crítico alto le dan a los semiconductores de SiC una ventaja cuando la alta potencia es una característica clave deseable del dispositivo.
Actualmente, el carburo de silicio (SiC) se usa ampliamente para aplicaciones de alta potencia.SiC también se utiliza como sustrato para el crecimiento epitaxial de GaN para dispositivos de mayor potencia.
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Sustrato semiaislante 4H-SiC de 4 pulgadas |
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| Rendimiento del producto | nivel P | nivel D | |
| forma de cristal | 4H | ||
| politípico | No permitido | Área≤5% | |
| Densidad de microtubosa | ≤0,3/cm2 | ≤5/cm2 | |
| Seis cuadrados vacíos | No permitido | Área≤5% | |
| Cristal híbrido de superficie hexagonal | No permitido | Área≤5% | |
| envoltorioa | Área≤0.05% | N / A | |
| Resistividad | ≥1E9Ω·cm | ≥1E5Ω·cm | |
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(0004) XRDHancho de media altura de la curva oscilante (FWHM) |
≤45Arcosegundo |
N / A |
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| Diámetro | 100,0 mm+0,0/-0,5 mm | ||
| Orientación de la superficie | {0001}±0,2° | ||
| Longitud del borde de referencia principal |
32,5 mm ± 2,0 mm
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| Longitud del borde de referencia secundario | 18,0 mm ± 2,0 mm | ||
| Orientación del plano de referencia principal | paralelo<11-20> ± 5,0˚ | ||
| Orientación del plano de referencia secundario | 90 ° en el sentido de las agujas del reloj con respecto al plano de referencia principal ˚ ± 5,0 ˚, Si boca arriba | ||
| preparación de la superficie | Cara C: Pulido de espejo, Cara Si: Pulido mecánico químico (CMP) | ||
| El borde de la oblea | ángulo de chaflán | ||
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Rugosidad de la superficie (5 μm × 5 μm)
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Si cara Ra<0.2 nm
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| espesor |
500,0±25,0 μm
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| LTV (10 mm × 10 mm)a |
≤2 µm
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≤3 µm
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| TTVa |
≤6 µm
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≤10 µm
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| Arcoa |
≤15 µm
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≤30 µm
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| Deformacióna |
≤25 µm
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≤45 µm
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| Borde roto/hueco | No se permiten bordes colapsados de una longitud y una anchura de 0,5 mm. | ≤2 y cada largo y ancho de 1,0 mm | |
| rascara | ≤4, y la longitud total es 0,5 veces el diámetro | ≤5, y la longitud total es 1,5 veces el diámetro | |
| defecto | no permitido | ||
| contaminación | no permitido | ||
| Eliminación de bordes |
3 mm |
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Observación: se utiliza una exclusión de borde de 3 mm para los elementos marcados cona.
Sobre nosotros
Nos especializamos en el procesamiento de una variedad de materiales en obleas, sustratos y piezas de vidrio óptico personalizadas. Componentes ampliamente utilizados en electrónica, óptica, optoelectrónica y muchos otros campos.También hemos estado trabajando en estrecha colaboración con muchas universidades, instituciones de investigación y empresas nacionales y extranjeras, proporcionando productos y servicios personalizados para sus proyectos de I+D.Nuestra visión es mantener una buena relación de cooperación con todos nuestros clientes gracias a nuestra buena reputación.
Preguntas más frecuentes
P: ¿Es una empresa comercial o fabricante?
Somos fábrica.
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