low gate threshold voltage mosfet

Alta Durabilidad Silicon Puerta de Bajo Umbral de Voltado Mosfet TO-251 Descripción del producto: Nuestro MOSFET está hecho de material de silici...

MOSFET de voltaje de umbral bajo con alta capacidad EAS para convertidor de CC/DC en proceso de estructura de trinchera/SGT Descripción del producto...

Poder más elevado del MOSFET de IXTQ130N10T Bajo en resistencia y voltaje bajo del umbral de la puerta para el rendimiento óptimo Ca...

El MOSFET N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3,600V CoolMOS™ C3 de Infineon es la tercera serie de Infineon de reemplazo de CoolMOS™ para 600V CoolMOS™ ......

SOT-23 Plástico-encapsulan los MOSFETS BC2301 MOSFET del P-canal 20-V (D-S) BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf CARACTERÍSTICAS MOSFET del poder de TrenchFET ......

la DESCRIPCIÓN del MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel el 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso para proporcionar el RDS excelente ......

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel DESCRIPCIÓN El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a proporcione el RDS excelente (EN...

Transistor de poder del Mosfet NVHL040N65S3F M Superfet 3 características del canal N del PAQUETE de 650V TO247 •OptimizedforhighperformanceSMPS, e.g......

Canal N 800 V, 0,19 tipos de Ω., 19,5 MOSFETs de un poder de MDmesh™ K5 en D2PAK, TO-220FP, TO-220 y paquetes TO-247 Usos • Usos que cambian Desc...

Soporte TO-252 de la superficie del P-canal 30V 25A 2.5W 50W de AOD417 D417 Descripción general El AOD417 utiliza el toprovide avanzado RDS excelente ......

MOSFET de PowerTrench del canal N del MOSFET 100V del transistor de poder del Mosfet de FDPF045N10A Características RDS (encendido) =3....

Baja tensión MOSFET de potencia SMD Módulo A través del agujero Versiones PKF4510PI 3-7 Módulos / DC W de potencia de corriente continua de 48 V S...

Paquete de los transistores 30V 5-DFN del canal N del microprocesador NTMFS4C024NT1G del circuito integrado Características RDS bajo (encendid...

Transistores del smd del kdk de la señal del canal dual del canal N 2 del MOSFET DMN5L06DWK7 los pequeños emergen los transistores del modo Caracte...

Tubo del MOSFET N-CH 60V 95A 3-Pin (3+Tab) TO-220AB del transporte de IRFB7545PBF InfineonEspecificaciones técnicas del producto UE RoHS...

FDC608PZ MOSFET -20V MOSFET de corte de energía de 2.5V con canal P El fabricante: en semi Categoría de producto: MOSFET La norma RoHS: Detall...

MOSFET de alta velocidad de potencia y controlador IGBT controlador de puertas de alta tensión de 3 fases Descripción El JY213H es u...

Nombre de producto: FQA11N90F109Detalle rápido: El FQA11N90F109 es un MOSFET del canal N 900V con una corriente máxima del dren de 11A y una res...

Descripción: El JY213H es un MOSFET de alta velocidad y un controlador IGBT con tres canales de salida referenciados de alto y bajo lado independien...