Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:8H02ETS
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
Payment Terms:L/C T/T Western Union
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces:
Dentro de 14 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel
DESCRIPCIÓN
La tecnología avanzada del foso 8H02ETSuses a
proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y
operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.
CARACTERÍSTICAS GENERALES
VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A
8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28mΩ @ VGS=2.5V
RDS (ENCENDIDO) < 26mΩ @ VGS=3.1V
RDS (ENCENDIDO) < 22mΩ @ VGS=4V
RDS (ENCENDIDO) < 20mΩ @ VGS=4.5V
Grado del ESD: 2000V HBM
Uso
Protección de la batería
Gestión del poder del interruptor de la carga
Marca del paquete e información el ordenar
| Identificación del producto | Paquete | Marcado | Qty (PCS) |
| 8H02ETS | TSSOP-8 | 8H02ETS WW YYYY | 5000/3000 |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
| Parámetro | Símbolo | Límite | Unidad |
| Voltaje de la Dren-fuente | VDS | 20 | V |
| Voltaje de la Puerta-fuente | VGS | ±12 | V |
| Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1) | Identificación | 7 | V |
| Disipación de poder máxima | Paladio | 1,5 | W |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ℃ |
| Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2) | RθJA | 83 | ℃/W |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)
NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por
temperatura de empalme máxima. 2. superficie montada en FR4 el
tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2%
de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por
diseño, no conforme a la prueba de la producción.
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V
Carro de la investigación
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