Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

Brand Name:Hua Xuan Yang
Certification:RoHS、SGS
Model Number:8H02ETS
Minimum Order Quantity:1000-2000 PCS
Delivery Time:1 - 2 Weeks
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Sitio 2013, edificio internacional de DingCheng, ZhenHua Road, distrito de FuTian, Shenzhen, provincia de Guangdong
Proveedor Último login veces: Dentro de 14 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel

 

 

 

DESCRIPCIÓN

La tecnología avanzada del foso 8H02ETSuses a

proporcione el RDS excelente (ENCENDIDO), la carga baja de la puerta y

operación con los voltajes de la puerta tan bajos como 2.5V.

 

 

CARACTERÍSTICAS GENERALES

VDS = 20V, IDENTIFICACIÓN = 7A

8H02TS RDS (ENCENDIDO) < 28mΩ @ VGS=2.5V

RDS (ENCENDIDO) < 26mΩ @ VGS=3.1V

RDS (ENCENDIDO) < 22mΩ @ VGS=4V

RDS (ENCENDIDO) < 20mΩ @ VGS=4.5V

Grado del ESD: 2000V HBM

 

 

Uso

Protección de la batería

Gestión del poder del interruptor de la carga

 

 

 

 

 

Marca del paquete e información el ordenar

 

 

Identificación del productoPaqueteMarcadoQty (PCS)
8H02ETSTSSOP-88H02ETS WW YYYY5000/3000

 

 

 

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

ParámetroSímboloLímiteUnidad
Voltaje de la Dren-fuenteVDS20V
Voltaje de la Puerta-fuenteVGS±12V
Drene Current-Continuous@ Actual-pulsó (la nota 1)Identificación7V
Disipación de poder máximaPaladio1,5W
Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamientoTJ, TSTG-55 a 150
Resistencia termal, Empalme-a-ambiente (nota 2)RθJA83℃/W

 

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (TA=25℃ a menos que se indicare en forma diferente)

 

 

 

 

NOTAS: 1. grado repetidor: Anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima. 2. superficie montada en FR4 el tablero, sec del ≤ 10 de t. 3. prueba del pulso: ≤ 300μs, ≤ el 2% de la anchura de pulso del ciclo de trabajo. 4. garantizado por diseño, no conforme a la prueba de la producción.
 
 
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS Y TERMALES TÍPICAS
 
 
 
 
 
Etiquetas de productos:
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Carga baja dual de la puerta del transistor de poder del Mosfet del canal N 8H02ETS 20V

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