Name: A través del Th del transistor de poder del Mosfet del agujero 11V Vgs voltaje del umbral de la fuente de la puerta
Brand: Original brand
Price: 1 USD

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Brand Name :Original brand

Model Number :BSZ037N06LS5ATMA1

Certification :Original

Place of Origin :Original

MOQ :5000pcs

Price :Negotiation

Payment Terms :T/T

Supply Ability :100000pcs

Delivery Time :2-3days

Packaging Details :5000pcs

Continuous Leakage Current :65 A

Installation :Through Hole

Package :TO-247-3

Transistor Polarity :N-Channel

Channel Pattern :Enhancement

Pd-Power Dissipation :446 W

Vds-Leakage source breakdown electric shock :650 V

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Canal N del PAQUETE del transistor de poder del Mosfet NVHL040N65S3F M Superfet3 650V TO247

Características

•OptimizedforhighperformanceSMPS, e.g.syncrec.

•100%avalanchetested •Superiorthermalresistance

•Canal N

•Pb-freeleadplating; RoHScompliant

•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

Validación del producto

Completamente - calificado según JEDEC para el uso industrial

Categorías	Transistor de poder del Mosfet
Categorías	BSZ037N06LS5ATMA1
Paquete	TSDSON-8 FL
Serise	OptiMOS
En-resistencia de la fuente de la salida	3,7 mOhms
Corriente continua de la salida	40A
Disipación del Paladio-poder	69 W
Voltaje del umbral de la fuente de la th-puerta de Vgs	1.1V
Modelo del canal	Aumento

FAQ:

Q. ¿Cuál es su plazo de ejecución?

A: La mayor parte de los productos son en existencia así que podemos enviar dentro 3 días después de que el pago se confirma. Algunos productos especiales pueden necesitar un tiempo más largo, pero no se preocupan por favor de ése, nosotros le dejarán saber antes de su orden.

Q. ¿Cuál es su garantía?

A: 1200 días después de que las mercancías se han recibido. Nuestros productos serán el 100% probado antes de que se envíen.

Q. ¿Cuál es el MOQ para sus productos?

A: Aceptamos pequeñas órdenes de nuestros clientes, pero depende de diversos artículos satisface tan entra en contacto con con nosotros.

Etiquetas de productos:

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