Punto bajo del poder más elevado del MOSFET de IXTQ130N10T en resistencia y voltaje bajo del umbral de la puerta para el rendimiento óptimo

Poder más elevado del MOSFET de IXTQ130N10T

Bajo en resistencia y voltaje bajo del umbral de la puerta para el rendimiento óptimo

Características de producto:

- MOSFET del canal N
- Voltaje: 100V
- RDS (encendido): 0,01 ohmios
- Identificación: 130A
- Paquete: TO-247

Descripción de producto:

El IXYS IXTQ130N10T es un MOSFET del canal N con un voltaje máximo de la fuente del dren de 100V y una corriente máxima del dren de 130A. Este dispositivo ofrece un RDS bajo (encendido) de 0,01 ohmios y se contiene en un paquete TO-247. Se diseña para el uso en diversos usos tales como control de motor, gestión del poder, y otros usos de la fuente de alimentación.

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