A través del Th del transistor de poder del Mosfet del agujero 1.1V Vgs - voltaje del umbral de la fuente de la puerta

Brand Name:Original brand
Certification:Original
Model Number:BSZ037N06LS5ATMA1
Minimum Order Quantity:5000pcs
Delivery Time:2-3days
Payment Terms:T/T
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Miembro activo
Shenzhen Guangdong China
Dirección: 9E, bloque A, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei, Futian, Shenzhen, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Canal N del PAQUETE del transistor de poder del Mosfet NVHL040N65S3F M Superfet3 650V TO247

 

Características

•OptimizedforhighperformanceSMPS, e.g.syncrec.

•100%avalanchetested •Superiorthermalresistance

•Canal N

•Pb-freeleadplating; RoHScompliant

•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

 

Validación del producto

Completamente - calificado según JEDEC para el uso industrial

 

 

Categorías

Transistor de poder del Mosfet

BSZ037N06LS5ATMA1
PaqueteTSDSON-8 FL
SeriseOptiMOS
En-resistencia de la fuente de la salida3,7 mOhms
Corriente continua de la salida40A
Disipación del Paladio-poder69 W
Voltaje del umbral de la fuente de la th-puerta de Vgs1.1V
Modelo del canalAumento


 
FAQ:

 

Q. ¿Cuál es su plazo de ejecución?

A: La mayor parte de los productos son en existencia así que podemos enviar dentro 3 días después de que el pago se confirma. Algunos productos especiales pueden necesitar un tiempo más largo, pero no se preocupan por favor de ése, nosotros le dejarán saber antes de su orden.

 

Q. ¿Cuál es su garantía?

A: 1200 días después de que las mercancías se han recibido. Nuestros productos serán el 100% probado antes de que se envíen. 

 

Q. ¿Cuál es el MOQ para sus productos?

A: Aceptamos pequeñas órdenes de nuestros clientes, pero depende de diversos artículos satisface tan entra en contacto con con nosotros.

 

 
 
 
 
 

Etiquetas de productos:
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A través del Th del transistor de poder del Mosfet del agujero 1.1V Vgs - voltaje del umbral de la fuente de la puerta

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