Shanghai GaNova Electronic Information Co., Ltd.
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10x15mm2 (- 201) Uid-dopó el solo gruesode pulido cristalino 0.6~0.8m m FWHM<350arcsec del grado del producto del substrato del GA2O3 libres solo, los dispositivos optoelectrónicos de la resistencia 4.13E+17Ω/cm-3 de Ra≤0.5nm, las capas de aislamiento de materiales del semiconductor, y los filtros ULTRAVIOLETA
Con rendimiento energético creciente, se aumenta partes operantes requeridas más pequeñas, y una frecuencia más alta de la transferencia, densidad de poder cuáles, cuando todos estos factores se consideran, llevan a mucho velocidades más rápidas del dispositivo. La capacidad de cálculo grandemente se aumenta comparada a los dispositivos silicio-basados. Así, si usted compara un dispositivo del galio a un silicio uno, las velocidades de proceso en el dispositivo del nitruro del galio serán perceptiblemente más altas.
| Substrato del nitruro del galio--Nivel de la investigación | ||
| Dimensiones | 10*10m m | 10*15m m |
| Grueso | 0.6~0.8m m | |
| Orientación | (010) | (201) |
| Doping | UID | |
| Superficie pulida | Solo lado pulido | |
| Resistivity/Nd-Na | / | 4.13E+17 |
| FWHM | <350arcsec> | |
| Ra | ≤0.5nm | |
| Paquete | Empaquetado en un ambiente del sitio limpio de la clase 100, bajo atmósfera del nitrógeno | |
Sobre nosotros
Nos especializamos en el proceso de una variedad de materiales en las obleas, los substratos y parts.components de cristal óptico modificado para requisitos particulares ampliamente utilizados en electrónica, la óptica, la electrónica opta y muchos otros campos. También hemos estado trabajando de cerca con muchos nacionales y las universidades, las instituciones de investigación y las compañías de ultramar, proporcionan productos modificados para requisitos particulares y los servicios para sus proyectos del R&D. Es nuestra visión a mantener una buena relación de la cooperación con nuestros todos los clientes por nuestras buenas reputaciones.
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Sí, podríamos ofrecer la carga de la muestra gratis pero no pagamos el coste de carga.
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