Mosfet de la puerta de la zanja

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Sic microprocesador del circuito integrado de los transistores IMW65R027M1H TO-247-3 de los MOSFETs del poder del foso Descripción de producto de...

MOSFET 3,0 A, mosfet linear del poder de NTF3055L108T1G del poder del foso del mosfet del poder de 60 V Características • Los paquetes de Pb−Fre...

Del poder más elevado solo P−Channel MOSFET -20V -4.1A 67mΩ del poder del foso del MOSFET NVJS4151P [Quién somos?] Co. Ltd de la electró...

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Puerta de zanja de hierro y rejilla de drenaje de fundición de arena de alta resistencia Sobre nosotros La fundición de arena de hierro, tenemos n...

Conductor IC 8-PDIP de No-inversión del Mosfet de la puerta del Bajo-lado de TC4420CPA Descripción general Los TC4420/TC4429 son 6A (máximos), ......

Gestión ICs del poder de VND10N06TR-E Descripción del producto: El VND10N06TR-E es un circuito integrado de la gestión del poder (IC) diseñado p...

Foso programable del poder del canal del arsenal de puerta del campo de FDMC4435BZ 30V P P-canal PowerTrench del MOSFET -30V de FDMC4435BZ...

QM4803D N-Ch y descripción del MOSFET del P-canal Los WSF6012 es el MOSFET N-ch y P-ch del foso del rendimiento más alto con alta densidad de célula ......

MOSFET de trinchera de canal N/P complementario de 20 V PMCXB900UE El fabricante: Nexperia Categoría de producto: MOSFETs La norma Ro...

Parada de campo del foso de BIDW30N60T IGBT 600 V 60 A 230 W a través del agujero TO-247Los Bourns modelan los transistores bipolares aislados HECHO...

Canal N 80 V, tipo de 0,008 ohmios, 100 A, MOSFET del MOSFET STP100N8F6 del poder de STripFET F6 en una descripción general del paquete TO-220: Este ......

Gama de productos Usos que cambian del MOSFET STMicroelectronics STP110N8F6 de los transistores de los semiconductores de IDiscrete Canal N 80 V,...

MOSFET del modo del aumento de 20V N+N-Channel DESCRIPCIÓN El 8H02ETSuses avanzó tecnología del foso a proporcione el RDS excelente (EN...

Detalle del producto Empaquetado Tubo Situación de la parte Activo Tipo de IGBT NPT y foso Voltaje - avería del emisor del colector (má...

AON7534 MOSFET de canal N de 30 V, 10,5 mΩ Rds(on), 60 A continuo, DFN5x6-8L, -55 °C a +175 °C, AEC-Q101 Descripción general • Tecnología M...

MOSFET dual del Aumento-modo del canal N de FS8205A (20V, 6A) 1.Description Este canal N 2.5V especificó el MOSFET es una versión rugosa de la p...