Foso programable del poder del canal del arsenal de puerta del campo de FDMC4435BZ 30V P

Number modelo:FDMC4435BZ

Lugar del origen:EN

Cantidad de orden mínima:3000

Condiciones de pago:T/T

Capacidad de la fuente:10000

Plazo de expedición:5-8 días laborables

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Dirección: REY EDIFICIO INDUSTRIAL de FLAT/RM D52 3/F WONG NINGUNA CALLE de 2TAU=I YAU

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Carro de la investigación 0

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Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	Power-33-8
Polaridad del transistor:	P-canal
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	30 V
Identificación - corriente continua del dren:	8,5 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	20 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 25 V, + 25 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	3 V
Qg - carga de la puerta:	53 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	2,3 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	PowerTrench
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi/Fairchild
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	20 ns
Altura:	0,8 milímetros
Longitud:	3,3 milímetros
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	6 ns
Serie:	FDMC4435BZ
Cantidad del paquete de la fábrica	3000
Subcategoría:	MOSFETs
Tipo del transistor:	1 P-canal
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	34 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	10 ns
Anchura:	3,3 milímetros
Peso de unidad:	0,007055 onzas