Las calificaciones de la SIC Mosfet

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W Descripción de producto de MSCSM170HM2...

Serie del mohm M3S del MOSFET 1200 V 22 del MOSFET NVH4L022N120M3S del poder más elevado sic en paquete de TO247-4LD [Quién somos?] Co....

Resistencia ultra baja SiC Mosfet Alta eficiencia para sistemas de energía renovable Descripción del producto: El MOSFET de carburo de silicio es...

Transformador auxiliar de la impulsión de la puerta 750319331 para el SIC-MOSFET e IGBT Características: Capacitancia de Interwinding abajo a...

Descripción del producto: Silicon Carbide MOSFET is a type of Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET) that has been developed to...

Descripción Las cerámicas de nitruro de silicio tienen muchos excelentes rendimientos, como alta dureza, alta resistencia, pequeño coeficiente de expa......

3inch sic oblea, substratos del carburo de silicio de la pureza elevada 4H, substratos de la pureza elevada 4inch sic, substratos para el semiconducto...

6H-N Substrato/wafer de SiC semi-aislante para MOSFET, JFET, BJT, banda ancha de alta resistencia El substrato/abstracto de la oblea de SiC semi-aisla...

W forma los elementos de calefacción de la temperatura alta sic, varilla de calor el carburo de silicio hasta 1400℃ Forma de los elementos de ......

Electrónica de potencia MOSFET de canal N FDV301N El FDV301N es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de...

JDCD03-001-003 Descripción Sic los boules (cristales) se crecen, se trabajan a máquina en los lingotes, y después se cortan en los substratos, q...

El carburo de silicio negro se utiliza como refractario en la producción de cerámica. Descripción: ¿Por qué el carburo de silicio puede soportar t......

MOSFET 200V 50A 300W del canal N de IRFP260NPBF a través del agujero TO-247AC RoHS obediente El otro nombre: 64-6005PBF Característica l tecnología de ......

Mosfet RF 48 V 2 A 1,1 GHz 13 dB 60 W 440193...

IRFP240, SiHFP240 MOSFET del poder CARACTERÍSTICAS • Grado dinámico de dV/dt • Avalancha repetidor clasificada • Agujero de montaje...

Control del inversor de los conductores EV de la puerta; IGBT y sic GDIC Cualidad de producto Valor del atributo Cualidad...

La descripción general del MOSFET del canal N dual de HXY9926A 20V El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente ......

MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V Descripción general El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excel...

MOSFETs HiPerFET del poder del Mosfet 800V 27A 0,32 Rds del canal N de IXFK27N80Q Descripción MOSFETs Q-CLASS del poder de HiPerFETTM El solo MO...

SOPORTE D2PAK de la SUPERFICIE del TRANSISTOR 200V del MOSFET del CANAL N de IRF640NSTRLPBF Las mercancías condicionan: A estrenar...