Las calificaciones de la SIC Mosfet

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W Descripción de producto de MSCSM170HM2...

IXFN56N90P 900V 56A SiC MOSFET Bajo Rds(on) 65mΩ Conmutación Rápida Alta Frecuencia Diodo de Cuerpo Robusto Operación a Alta Temperatura Paquete...

Transformador auxiliar de la impulsión de la puerta 750319331 para el SIC-MOSFET e IGBT Características: Capacitancia de Interwinding abajo a...

Descripción Las cerámicas de nitruro de silicio tienen muchos excelentes rendimientos, como alta dureza, alta resistencia, pequeño coeficiente de expa......

Resumen de lasOfras de semillas de SiC Wafer de semillas de SiC 4H N tipo Dia 153 155 2 pulgadas-12 pulgadas personalizado Usado para la fabr...

6H-N Substrato/wafer de SiC semi-aislante para MOSFET, JFET, BJT, banda ancha de alta resistencia El substrato/abstracto de la oblea de SiC semi-aisla...

W forma los elementos de calefacción de la temperatura alta sic, varilla de calor el carburo de silicio hasta 1400℃ Forma de los elementos de ......

Electrónica de potencia MOSFET de canal N FDV301N El FDV301N es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de...

El carburo de silicio negro se utiliza como refractario en la producción de cerámica. Descripción: ¿Por qué el carburo de silicio puede soportar t......

Elemento de calefacción SiC de tipo M La varilla de carburo de silicio tipo M está disponible en diferentes tamaños y potencias para satisfacer las di......

MOSFET 200V 50A 300W del canal N de IRFP260NPBF a través del agujero TO-247AC RoHS obediente El otro nombre: 64-6005PBF Característica l tecnología de ......

IRFP240, SiHFP240 MOSFET del poder CARACTERÍSTICAS • Grado dinámico de dV/dt • Avalancha repetidor clasificada • Agujero de montaje...

Descripción del producto Especificación Código del productoEl número de la serie AR6121Tasa de transmisión Wi-Fi 5G1000 Mbpsel procesadorARM64 4 nú......

Control del inversor de los conductores EV de la puerta; IGBT y sic GDIC Cualidad de producto Valor del atributo Cualidad...

La descripción general del MOSFET del canal N dual de HXY9926A 20V El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso para proporcionar el RDS excelente ......

MOSFET dual del canal N de HXY9926A 20V Descripción general El HXY9926A utiliza tecnología avanzada del foso a proporcione el RDS excel...

MOSFETs HiPerFET del poder del Mosfet 800V 27A 0,32 Rds del canal N de IXFK27N80Q Descripción MOSFETs Q-CLASS del poder de HiPerFETTM El solo MO...

Horno de crecimiento de epitaxia para el carburo de silicio (CVD SIC) HTCVD Este equipo se utiliza para el recubrimiento de carburo de silicio de mate...

MOSFET del poder del modo del aumento del canal N 40V de JY15M para el conductor del motor de BLDC DESCRIPCIÓN GENERAL El JY15M utiliza las...