Tamaño personalizado de 0,32 mm de espesor Substrato de nitruro de silicio para IGBT y MOSFET SiC
Lugar del origen:China
Condiciones de pago:T/T POR ADELANTADO
Plazo de expedición:GENERALMENTE 1 MES
Detalles de empaquetado:BOLSOS, BARRILES, CARTONES
El material:Nitruro de silicio
El color:Negro
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Evaluación de proveedor
Zhuhai Guangdong
Dirección:
No.9 Qianshan Road, Zhuhai, provincia de Guangdong, China
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Descripción
Las cerámicas de nitruro de silicio tienen muchos excelentes rendimientos, como alta dureza, alta resistencia, pequeño coeficiente de expansión térmica, pequeño flujo a alta temperatura, buen rendimiento antioxidante,un buen rendimiento de corrosión térmicaEs el mejor material cerámico en rendimiento integral. Se utiliza ampliamente en los campos del aeroespacial, ferrocarril de alta velocidad y vehículos de nueva energía.Es un material de disipación de calor de núcleo importante para tuberías de cristal bipolar de red de aislamiento (IGBT) y módulo de potencia de carburo de silicio (SIC MOSFET).
Características
- Alta dureza, alta resistencia
- Buen rendimiento antioxidante
- Buen rendimiento de corrosión térmica
- Bajo coeficiente de expansión térmica
- Pequeño rastrero de alta temperatura
- Coeficientes de fricción pequeños
Dimensión
| Dimensión | El grosor | Largo y ancho | ||
| 0.32 mm | 114.3*114.3 mm | |||
| Las demás: | ||||
| Observaciones: Personalizado según los requisitos del cliente | ||||
Propiedades de los materiales
| Propiedades de los materiales | Formulario | Sí, sí.3No4 |
| El color | Gris/Blanco | |
| Densidad ((g/cm)3) | ≥ 3 años20 | |
| Roughness de la superficie Ra (μm) | 0.200 a 0.600 | |
| Fuerza de flexión (MPa) | >800 | |
| Camarón (Duración‰) | ≤ 3 años | |
| Conductividad térmica (Sobre todo en°C,W/m·k) | >80 | |
| Coeficiente de expansión térmica (10-6 años/K{40-400°C¿ Por qué? | 2.0 a tres.0 | |
| Coeficiente de expansión térmica (10-6 años- ¿Por qué no?°C¿ Por qué? | 2.0 a tres.0 | |
| Constante dieléctrica | ≥ 17 años | |
| Resistencia de volumen | ≥ 10 años14 |
Tamaño personalizado de 0,32 mm de espesor Substrato de nitruro de silicio para IGBT y MOSFET SiC
Carro de la investigación
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