IRFP240, SiHFP240
MOSFET del poder
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.
El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 porque su agujero de montaje aislado. También proporciona mayores distancias de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS TC = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente
| PARÁMETRO |
SÍMBOLO |
LÍMITE |
UNIDAD |
| Voltaje de la Dren-fuente |
VDS |
200 |
V |
| Voltaje de la Puerta-fuente |
VGS |
± 20 |
V |
| Corriente continua del dren |
VGS en 10 V |
TC = °C 25 |
ID |
20 |
A |
| TC = °C 100 |
12 |
| Corriente pulsadaadel dren |
IDM |
80 |
A |
| Factor que reduce la capacidad normal linear |
|
1,2 |
W/°C |
| Sola energíab de la avalanchadel pulso |
ECOMO |
510 |
mJ |
| Corriente repetidorade la avalancha |
IAR |
20 |
A |
| Energía repetidorade la avalancha |
EAR |
15 |
mJ |
| Disipación de poder máxima |
TC = °C 25 |
PD |
150 |
W |
| Recuperación máxima dV/dtcdel diodo |
dV/dt |
5,0 |
V/ns |
| Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento |
TJ, Tstg |
- 55 a + 150 |
°C |
| Recomendaciones que sueldan (temperatura máxima) |
para 10 s |
|
300d |
°C |
| Esfuerzo de torsión del montaje |
6-32 o tornillo M3 |
|
10 |
lbf · en |
| 1,1 |
N · m |
Notas
a. Grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima (véase fig. 11).
b. VDD = 50 V, comenzando TJ = 25 °C, L = 1,9 Mh, RG = 25 Ω, ICOMO = 20 A (véase fig. 12).
c. I ≤ 18 A, ≤ 150 A/µs, ≤ VDS, ≤ 150 °C. delSD de dI/dtde laDD de V de TJ.
d. 1,6 milímetros del caso.
Oferta común (venta caliente)
| Número de parte. |
Cantidad |
Marca |
D/C |
Paquete |
| LM211P |
13049 |
TI |
11+ |
TSSOP-8 |
| LM224DR |
67000 |
TI |
16+ |
SOP-14 |
| LM22676MRE-5.0 |
8568 |
TI |
15+ |
SOP-8 |
| LM22676MRX-5.0 |
8639 |
TI |
15+ |
PSOP8 |
| LM22676MRX-ADJ |
1691 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
| LM22676TJE-ADJ |
6794 |
TI |
13+ |
TO-263 |
| LM22777TJ-ADJ |
5048 |
NS |
16+ |
TO-263 |
| LM239APT |
4458 |
ST |
13+ |
TSSOP-14 |
| LM25011MY/NOPB |
3243 |
TI |
16+ |
MSOP-10 |
| LM25037MTX |
4474 |
TI |
09+ |
TSSOP-16 |
| LM25119PSQ/NOPB |
1820 |
TI |
15+ |
WQFN-32 |
| LM25575MHX |
3711 |
TI |
12+ |
TSSOP-16 |
| LM25576MHX |
5141 |
TI |
14+ |
TSSOP-20 |
| LM2575D2T-3.3R4G |
18153 |
EN |
11+ |
TO-263 |
| LM2575HVT-5.0 |
13120 |
NS |
15+ |
TO-220 |
| LM2575SX-5.0 |
22261 |
NS |
16+ |
TO-263 |
| LM2576-5.0WU |
4267 |
MICREL |
14+ |
TO-263 |
| LM2576D2TR4-5G |
5273 |
EN |
14+ |
TO-263 |
| LM2576HVSX-ADJ |
6468 |
TI |
15+ |
TO-263 |
| LM2576HVT-ADJ |
21640 |
NS |
16+ |
TO-220 |
| LM2576SX-1.2 |
18871 |
NSC |
13+ |
TO263-5 |
| LM2577T-ADJ |
4542 |
NS |
12+ |
TO-220-5 |
| LM2586SX-ADJ |
2498 |
NS |
07+ |
TO-263-7 |
| LM2588T-5.0 |
3655 |
TI |
15+ |
TO-220-7 |
| LM258DR |
69000 |
TI |
16+ |
SOP-8 |
| LM258DT |
70000 |
ST |
13+ |
SOP-8 |
| LM2594HVM-5.0 |
3314 |
NS |
13+ |
SOP-8 |
| LM2596HVT-ADJ |
21711 |
NS |
14+ |
TO-220 |
| LM2622MM-ADJ |
2888 |
NSC |
08+ |
MSOP-8 |
| LM2651MTCX-ADJ |
8710 |
NS |
04+ |
TSSOP |
