MOSFETs HiPerFET del poder del transistor 800V 27A 0,32 Rds del Mosfet del canal N de IXFK27N80Q
Number modelo:IXFK27N80Q
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MOSFETs HiPerFET del poder del Mosfet 800V 27A 0,32 Rds del canal N de IXFK27N80Q
Descripción
MOSFETs Q-CLASS del poder de HiPerFETTM
El solo MOSFET muere
La avalancha del modo del aumento del canal N valoró, Qg bajo, alto dV/dt, trr bajo
Características
• IXYS avanzó el proceso bajo de Qg
• Carga baja y capacitancias de la puerta - más fáciles conducir - una transferencia más rápida
• Los paquetes estándar internacionales z RDS bajo (en) z valoraron para la carga inductiva unclamped
el cambiar (UIS) valoró
• Los epóxidos que moldean resuelven la clasificación de la inflamabilidad V-0 de la UL 94
Usos
• Cargadores de batería de los convertidores z de DC-DC
• fuentes del Cambiar-modo y de alimentación del resonante-modo
• Control de motor de CA de los interruptores z de DC
• Controles de la temperatura y de la iluminación
- Especificaciones
Cualidad de producto Valor del atributo Categoría de producto: MOSFET Si A través del agujero TO-264-3 Canal N 1 canal 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, + 20 V 4,5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Aumento Tubo Marca: IXYS Configuración: Solo Tiempo de caída: 13 ns Transconductancia delantera - minuto: 20 S Altura: 26,16 milímetros Longitud: 19,96 milímetros Tipo de producto: MOSFET - Guía de las compras
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