DV/dt dinámicos que valoran IRFP240PBF accionan el mosfet rápido del poder de la transferencia del transistor del Mosfet

IRFP240, SiHFP240

MOSFET del poder

CARACTERÍSTICAS

• Grado dinámico de dV/dt

• Avalancha repetidor clasificada

• Agujero de montaje central aislado

• Transferencia rápida

• Facilidad de ser paralelo a

• Requisitos simples de la impulsión

• Ventaja (Pb) - disponible libre

DESCRIPCIÓN

Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia baja y de rentabilidad.

El paquete TO-247 se prefiere para los usos comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero superior al paquete anterior TO-218 porque su agujero de montaje aislado. También proporciona mayores distancias de contorneamiento entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las especificaciones de seguridad.

GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS T_C = °C 25, a menos que se indicare en forma diferente

Notas

a. Grado repetidor; anchura de pulso limitada por temperatura de empalme máxima (véase fig. 11).

b. V_DD = 50 V, comenzando T_J = 25 °C, L = 1,9 Mh, R_G = 25 Ω, I_COMO = 20 A (véase fig. 12).

c. I ≤ 18 A, ≤ 150 A/µs, ≤ V_DS, ≤ 150 °C. del_SD de dI/dt_de la_DD de V de T_J.

d. 1,6 milímetros del caso.

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