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Ultrabajo en mosfet ic IRLML6402TRPBF del poder de la resistencia HEXFET * En-resistencia ultrabaja * MOSFET del P-canal * huella SOT-23 * pe...
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QX5252F mosfet de fines generales ic del poder del mosfet del mosfet del poder de gran intensidad...
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Se recomienda el uso de un método de medición de los efectos de los gases de efecto invernadero. Atributo del producto Valor del atributo El fa...
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Canal N 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC del MOSFET del poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon Descripción: Los MOSFETs del poder d...
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MOSFET discreto LMBT3904LT1G MMBT3904LT1 de los transistores de los semiconductores DMP2035U-7 En-resistencia baja Capacitancia entrada baja Veloci...
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MOSFET NTHL040N65S3F IC programable Chips Electronic Components IC original ENCENDIDO DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO El número de parte # NTHL040N65S3F se...
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el transistor del diodo del MOSFET del Si 12V salta IRLML6401TRPBF P-Ch -4.3A los 50m ohmios Descripción del Producto número de p...
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Descripción de producto: Nuestro chip CI programable ofrece 8-100 pernos y es ideal para los usos de adquisición de datos y de RDA de la memoria de...
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Canal N 40 V 195A (Tc) 294W (Tc) de IRFB7434PBF a través del agujero TO-220AB Características: Categoría Solos FETs, MOSFETs Mfr Infineon Technologies ......
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conductor del alto-lado del Patio-canal con el interfaz de 16 bits de SPI para los usos automotrices > Características AEC-Q100 calificó General...
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El semipuente del chip CI de los conductores del MOSFET y de IGBT del poder de IR2110PBF bloquea el conductor IC 14-DIP Descripción Los IR...
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Tubo FDD4141 del MOS del canal -50A -40V 10,1 MOHM del transistor P del MOSFET Productos Descripción: 1. El FDD4141 es un MOSFET de PowerTrench® del...
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