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China MOSFET IC del poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS wholesale

MOSFET IC del poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

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Number modelo :BSC070N10NS3GATMA1

Lugar del origen :Malasia

Cantidad de orden mínima :1pieces

Condiciones de pago :T/T, Western Union

Capacidad de la fuente :5000pcs

Plazo de expedición :5 días laborables

Detalles de empaquetado :Carrete

Detalles :Canal N 100 V 90 A (Tc) 114 W (Tc) Montaje en superficie PG-TDSON-8-1

Nombre de productos :Circuitos integrados (IC)

Categoría :componentes electrónicos

Familia de IC :Productos semiconductores discretos Transistores - FET, MOSFET - Individuales

El otro nombre :BSC070

Paquete :TDSON8

Descripción :MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Situación sin plomo :RoHS obediente, PB libre, sin plomo

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Canal N 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC del MOSFET del poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon

Descripción:

Los MOSFETs del poder del 100V OptiMOS™ de Infineon ofrecen las soluciones superiores para la eficacia alta, alta poder-densidad SMPS.

Comparado a la mejor tecnología siguiente esta familia alcanza una reducción del 30% en ambos R DS (encendido) y FOM (figura del mérito).

Usos potenciales:
Rectificación síncrona para AC-DC SMPS
Control de motor para los sistemas 48V-80V (es decir vehículos, poder-herramientas, camiones nacionales)
Convertidores aislados de DC-DC (sistemas de las telecomunicaciones y del datacom
Interruptores y disyuntores del anillo o en los sistemas 48V
Amplificadores audios de la clase D
Fuentes de alimentación ininterrumpibles (UPS)

Resumen de características:
Funcionamiento que cambia excelente
El R más bajo DS del mundo (encendido)
Gd bajo mismo de Q g y de Q
Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido) (FOM)
Obediente-halógeno de RoHS libre
MSL1 valoró 2

Ventajas

Respetuoso del medio ambiente
Eficacia creciente
Densidad del poder más alto
El menos ser paralelo a requerido
El consumo más pequeño del tablero-espacio
productos del Fácil-a-diseño

Especificaciones:

Categoría	Productos de semiconductor discretos
	Transistores - FETs, MOSFETs - solos
Mfr	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Paquete	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	90A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	7mOhm @ 50A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 75µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	4000 PF @ 50 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	114W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TDSON-8-1
Paquete/caso	8-PowerTDFN
Número bajo del producto	BSC070

Parametrics	BSC070N10NS3G
CISS	3000 PF
Coss	520 PF
Identificación (@25°C) máximo	90 A
IDpuls máximo	360 A
Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo	-55 °C del °C 150
Ptot máximo	114 W
Paquete	SuperSO8 5x6
Polaridad	N
QG (tipo @10V)	42 nC
RDS (encendido) (@10V) máximo	mΩ 7
Rth	1,1 K/W
VDS máximo	100 V
Minuto de VGS (th) máximo	2,7 V 2 V 3,5 V

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