Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	No para los nuevos diseños
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	23.8A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	160mOhm @ 11.3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 750µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	75nC @ 10V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1660pF @ 100V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	A través del agujero
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete/caso	Paquete completo TO-220-3

Detalle del producto

1. Mercancías comunes, de la orden o recepción de fabricación.

2. Orden de la muestra.

3. Le contestaremos para su investigación en 24 horas.

4. Después de enviar, seguiremos los productos para usted una vez cada dos días, hasta que usted consiga los productos.

5. Cuando usted consiguió las mercancías, la prueba ellas, y me da una reacción. Si usted tiene cualquier problema

éntrenos en contacto con, nosotros solucionará para usted. ↓

Etiquetas de productos:

ic chip l1248817

1.5KE51A

Carro de la investigación 0