MOSFET IC del poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
Number modelo:BSC070N10NS3GATMA1
Lugar del origen:Malasia
Cantidad de orden mínima:1pieces
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de la fuente:5000pcs
Plazo de expedición:5 días laborables
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Evaluación de proveedor
Shenzhen Hongkong China
Dirección:
Fl12, distrito Shenzhen China 518000 de LongHua del mundo de la torre E XingHe
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Dentro de 28 Horas
Detalles del producto
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Detalles del producto
Canal N 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC del MOSFET del poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon
Descripción:
Los MOSFETs del poder del 100V OptiMOS™ de Infineon ofrecen las soluciones superiores para la eficacia alta, alta poder-densidad SMPS.
Comparado a la mejor tecnología siguiente esta familia alcanza una reducción del 30% en ambos R DS (encendido) y FOM (figura del mérito).
Usos potenciales:
Rectificación síncrona para AC-DC SMPS
Control de motor para los sistemas 48V-80V (es decir vehículos,
poder-herramientas, camiones nacionales)
Convertidores aislados de DC-DC (sistemas de las telecomunicaciones
y del datacom
Interruptores y disyuntores del anillo o en los sistemas 48V
Amplificadores audios de la clase D
Fuentes de alimentación ininterrumpibles (UPS)
Resumen de características:
Funcionamiento que cambia excelente
El R más bajo DS del mundo (encendido)
Gd bajo mismo de Q g y de Q
Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido)
(FOM)
Obediente-halógeno de RoHS libre
MSL1 valoró 2
Ventajas
Respetuoso del medio ambiente
Eficacia creciente
Densidad del poder más alto
El menos ser paralelo a requerido
El consumo más pequeño del tablero-espacio
productos del Fácil-a-diseño
Especificaciones:
Categoría | |
Transistores - FETs, MOSFETs - solos | |
Mfr | Infineon Technologies |
Serie | OptiMOS™ |
Paquete | Cinta y carrete (TR) |
Situación de la parte | Activo |
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 100 V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 90A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 7mOhm @ 50A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 3.5V @ 75µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
Vgs (máximo) | ±20V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 4000 PF @ 50 V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 114W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montaje del tipo | Soporte superficial |
Paquete del dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8-1 |
Paquete/caso | 8-PowerTDFN |
Número bajo del producto | BSC070 |
| Parametrics | BSC070N10NS3G |
| CISS | 3000 PF |
| Coss | 520 PF |
| Identificación (@25°C) máximo | 90 A |
| IDpuls máximo | 360 A |
| Minuto de la temperatura de funcionamiento máximo | -55 °C del °C 150 |
| Ptot máximo | 114 W |
| Paquete | SuperSO8 5x6 |
| Polaridad | N |
| QG (tipo @10V) | 42 nC |
| RDS (encendido) (@10V) máximo | mΩ 7 |
| Rth | 1,1 K/W |
| VDS máximo | 100 V |
| Minuto de VGS (th) máximo | 2,7 V 2 V 3,5 V |
MOSFET IC del poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS
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