IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA
Número de modelo:IXTY08N100D2
Lugar de origen:El original
Cantidad mínima de pedido:1
Condiciones de pago:TT
Capacidad de suministro:100
Tiempo de entrega:3-4 días
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Shenzhen Chongqing China
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El 1ª planta, C constructiva, parque tecnológico de ZhouKe, ningunos 190 del camino de Chongqing, comunidad de Heping, calle de Fuhai, distrito de BaoAn, Shenzhen, China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
El chip de IC CSR8670C-IBBH-R RF TxRx + MCU Bluetooth Bluetooth
v4.0 2.4GHz 112-VFBGA también se utiliza para el procesamiento de
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IXTY08N100D2 son deInventario de fábrica, por favor compruebe sus demandas y por favor contáctenos con el precio objetivo.
Especificaciones de Se aplicará el procedimiento siguiente:
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Especificaciones de Se aplicará el procedimiento siguiente:
| El tipo | Descripción |
| Categoría | Productos discretos de semiconductores |
| Transistores | |
| FET, MOSFET | |
| FET y MOSFET individuales | |
| El Sr. | IXYS |
| Serie | Agotamiento |
| Paquete | El tubo |
| Estado del producto | Actividad |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnología | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de desage a la fuente (Vdss) | Las demás: |
| Corriente - Desage continuo (Id) @ 25°C | Se aplicarán los siguientes requisitos: |
| Voltado de accionamiento (max Rds encendido, min Rds encendido) | - |
| Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs | Las emisiones de CO2 de los combustibles fósiles se calcularán de acuerdo con el método de cálculo de las emisiones. |
| Vgs(th) (máximo) @ Id | - |
| Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 14.6 nC @ 5 V |
| Vgs (máximo) | ± 20 V |
| Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds | 325 pF @ 25 V |
| Característica del FET | Modo de agotamiento |
| Disposición de energía (máximo) | 60 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Tipo de montaje | Montura de la superficie |
| Paquete de dispositivos del proveedor | TO-252AA |
| Envase / estuche | TO-252-3, DPAK (2 Pistas + Tab), SC-63 |
| Número del producto de base | Se trata de la serie IXTY08. |
Características delSe aplicará el procedimiento siguiente:
• Modo activado normalmente
• las condiciones de trabajoPaquetes estándar internacionales
• Las epoxias de moldeo cumplen con el criterio UL94V-0Clasificación de la inflamabilidad
Las aplicaciones deSe aplicará el procedimiento siguiente:
• Amplificadores de audio
• Circuitos de arranque
• Circuitos de protección
• Generadores de rampa
• Los reguladores actuales
• Cargas activas
Ventajas adicionales deSe aplicará el procedimiento siguiente:
• Fácil de montar
• Ahorro de espacio
• Alta densidad de energía
Clasificaciones medioambientales y de exportación deSe aplicará el procedimiento siguiente:
| Atributo | Descripción |
| Estado de la RoHS | Conforme con la Directiva ROHS3 |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) | 1 (sin límite) |
| Estatus de REACH | REACH No afectado |
| El número de personas | El EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
IXTY08N100D2 N Canal MOSFET IC 1000 V 800mA Tc 60W Tc Montaje de superficie TO-252AA
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