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matriz de mosfet

1 - 20 Resultados para matriz de mosfet A partir de 24 Productos

del Mosfet 4N-Channel del arsenal MSCSM170HM23CT3AG del puente módulo de poder lleno del MOSFET sic 602W Descripción de producto de MSCSM170HM2...

Time : Nov,29,2024
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El MOSFET del transistor del TI CSD75207W15 pone en orden P-CH dual 3.9A 9-Pin DSBGA T/REspecificaciones técnicas del producto UE RoHS...

Time : Nov,23,2024
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Soporte superficial 8-SOIC del arsenal 100V 4.5A 2.5W del Mosfet FDS3992 Ficha técnica: FDS3992 Categoría El FET, MOSFET pone en orden Mfr onsemi ......

Time : Jul,26,2023
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Circuitos integrados IC NTZD3155CT1G Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Montaje de superficie SOT-563 [¿Cuánto?o ¿Qué estamos haciendo?] La Co...

Time : Nov,21,2024
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Soporte 8-SOIC de la superficie del canal N del arsenal 2 del Mosfet FDS8984 30V (dual) 7A 1.6W Tipo del FET Canal N 2 (dual)...

Time : Nov,30,2024
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PMCXB900UE 20 V MOSFET de canal de trinchera N-P complementario El fabricante: Nexperia Categoría de producto: MOSFETs La norma RoHS: Deta...

Time : Jul,14,2025
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Transistores - soporte superficial 8-SOIC del canal N del arsenal 2 del Mosfet del chip CI AO4884 de los FETs 40V (dual) 10A 2W DESCRIPCIÓN DE PR...

Time : Dec,13,2024
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Los componentes de las unidades de producción de los equipos de ensayo se utilizarán en el ensayo de las unidades de ensayo de las unidades de ensayo.......

Time : Dec,09,2024
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MOSFET IC de los componentes electrónicos de los chips IC del circuito integrado IRF1010EPBF DESCRIPCIÓN DEL PRODUCTO Número de part...

Time : Nov,26,2024
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Descripción de productoDetalle del producto EmpaquetadoCinta y carrete (TR) Situación de la parteActivo Tipo del FETN y P-canal, dren común Caracter......

Time : Dec,02,2024
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Especificaciones de NTZD3154NT1G Situación de la parte Activo...

Time : Nov,26,2024
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Regulador de voltaje programable del arsenal de puerta del campo del Mosfet de FDMC6688P LDO MOSFET PT8P 20_8V del triodo del regulador de voltaj...

Time : Nov,25,2024
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Descripción del producto:El MOSFET de bajo voltaje, un pináculo de la tecnología moderna de semiconductores, es un testimonio de los increíbles avan......

Time : Mar,21,2025
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BUK7K52-60EX TIPO DESCRIPCIÓN Categoría Productos de semiconductor discretos Transistores - FETs,...

Time : Nov,27,2024
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ULQ2003ADR circuito de amplificador de potencia de ALTA TENSIÓN DE ALTA CORRIENTE DARLINGTON ARRAY de ALTA CORRIENTE ►500 mA-Rated Collector Curre...

Time : Jun,02,2024
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Arsenal del transistor de DarliCM GROUPon Transistors HiVltg hola-Crnt Darl del transistor de poder del Mosfet de ULN2003AIDR Características...

Time : Dec,01,2024
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Carburo de silicio como semiconductor Transistores y MOSFETs del semiconductor producidos por el horno de sinterización del carburo de silicio Casi ......

Time : Jul,22,2023
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AON7405 MOSFET de canal N de 30V 9.5mΩ Rds(on) 60A Continuo DFN5x6-8L -55°C a +175°C Calificado AEC-Q101 CARACTERÍSTICAS...

Time : Jul,24,2025
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